Semikron SK80GD12F4T

SEMIKRON SEMITRANS™ SK80GD12F4T — это мощный IGBT транзисторный модуль в корпусе SEMITRANS™ 2 (SEMIX), используемый в силовой электронике. Ниже приведено подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

1. Краткое Описание

Модуль SK80GD12F4T представляет собой двухключевой (half-bridge) IGBT модуль на напряжение 1200В и ток 80А. Отличительная особенность — наличие NTC-термистора (температурного датчика) и низкоиндуктивной конструкции.

• Исполнение:, аналог стандартного корпуса SEMITRANS 2 (ТМ-SEMPACK), позволяющий устанавливать его в сеть существующих модулей семейства SEMIKRON.
• Внутренняя схема: Однофазный мост (верхний и нижний ключи) с общим выходом (AC-точка).
• Применение: Инверторы, преобразователи частоты, источники бесперебойного питания (UPS), сварочные аппараты, драйверы.

2. Технические Характеристики

(Данные при температуре корпуса/кристалла 25°C, если не указано иное)

Основные параметры:

• Топология: Полумост (щиток на 2 IGBT и 2 встречных диода).
• Корпус: Самовентилируемый сверхтонкий корпус (силиконовая изоляция – SOCA).
• MTBF: ≥ 10180 кг/см3 (MTBF — высокая).

IGBT часть (Silicon Version F4: High Technology):

• Напряжение "Коллектор-Эмиттер" V_CES: 1200 В
• Постоянный ток коллектора I_C (при T_C = 100°C): 80 А
• Импульсный ток I_CM: 145 А (1 мс, низкая пусковая)
• Напряжение насыщения V_CE(sat): ~ 1,8 В ... 2,1 В (при I_C = 80 А, T_J = 25°C, замер зависит от конкретного транша)
• Рассеиваемая мощность (макс. ключ): ~ 390 – 480 Вт (зависит от типа чипов F4T).
• Крутизна характеристики: Высокая (подходит для прямых силовых накачек).
• Температура кристалла пл (переход): Максимальная +175°C (см. примечание ниже), расчетная +150°C.

Диоды (FWD - быстрые:

Толстый встроенный кремниевый быстрый диод для работы с IGBT.

• Напряжение VRHM: до 1200 В.
• Прямой ток диода I_F: до 80 А (одна диодная ветвь).
• Штраф переключения ЕОН и EOFF: Нужно смотретьв графики спайк-таблиц; стандартно для третьей осмографии пользы.

<TFT NTC>...

Безусловно.

3. Почти вечная и основная сухая агрегация по безопасности

• Жильный модуль поддержки гасящих НЧ фильтров: S-Look схемы.

L

--

Разверните технические параметры.

4. Абсолютные максимальные номинальные значения (КРАТКАЯ ИНФОРМАЦИЯ TV_л):

Параметры макс. нагрузки:

V_CES       1200В
V_GES        +/-20В
I_C         80А
S_OK        130А (действ.)

• МаксВходящие напряжение работа точки ≥ 550 В соответствуют обычной CE подвеске построенных вне EU .

--дряк.

5. Пример схемы

Локальный ключ" верх декомъюоз:

 П1

севший.

--