Semikron SKM200GB176D

Semikron SKM200GB176D — Описание и технические характеристики

SKM200GB176D — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) половинномостовой (half-bridge) конфигурации, произведенный компанией Semikron (ныне часть Sinexcel).

Модуль предназначен для тяжелых условий эксплуатации в силовой электронике, где требуется высокая надежность, низкие потери и отличная теплопередача. Конструктивно выполнен в корпусе SEMITRANS 3 с коррозионно-стойким основанием.

Общее описание

Это двухключевой модуль, внутри которого находятся два IGBT-транзистора с встречно-параллельными диодами (обратными диодами). Модуль использует технологию Trench IGBT 3 (траншейный IGBT третьего поколения) и CAL диоды (диоды с управляемой аксиальной утечкой). Эти технологии обеспечивают чрезвычайно низкое напряжение насыщения (( V_{CE(sat)} )) и высокую перегрузочную способность по току.

Области применения:

• Промышленные частотные преобразователи (AC-драйверы);
• Источники бесперебойного питания (UPS);
• Инверторы для солнечных электростанций и ветрогенераторов;
• Управляемые выпрямители;
• Сварочное оборудование;
• Электроприводы тяжелой промышленности.

Технические характеристики

Примечание: Значения указаны для температуры корпуса (кристалла) согласно спецификации datasheet при ( T_j = 25°C ) и ( T_j = 125°C ), если не указано иное.

Основные электрические параметры (IGBT, Trench 3):

| Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер (( V_{CE} )) | 1200 | В | | Постоянный ток коллектора (( I_C )) | ( 200 ) (при ( T_c = 80°C )) | А | | Ток коллектора кратковременно (( I_{CM} ) (1мс)) | 400 | А | | Напряжение насыщения К-Э (( V_{CE(sat)} )) | Обычно ( 2.1 ) В (типичное при ( I_C=200A ), ( T_j=25°C )); макс до 2.65 В | В | | Пороговое напряжение затвора (( V_{GE(th)} )) | 4.5 – 5.5 (типично 5.0) | В | | Заряд затвора (( Q_g )) | ~1.6 (типично) | мкКл | | Внутренний термический сопротивления (переход-корпус, ( R_{th(j-c)} )) | 0.1 (на один кристалл) | К/Вт |

Основные электрические параметры (Диод:)

| Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Характеристики диода | CAL  Диод | - | | Повторяющееся обратное напряжение (( V_{RRM} )) | 1200 | В | | Средний прямой ток (( I_F )) | 200 (при ( T_c = 80°C )) | А | | Предельный прямой ток (( I_{FM} ) (10мс)) | 400 | А | | Прямое падение напряжения (( V_F )) | ~1.8 В (типичное при ( I_F=200A ), ( T_j=25°C )) | В | | Обратный восстанавливающий заряд (( Q_{rr} )) | ~13 мкКл (типичное) | мкКл |

Механические и тепловые характеристики:

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Максимальная температура перехода (( T_{j,max} )) | +150 °C (167 °C в перегрузочном режиме) | | Корпус | SEMITRANS® 3 (полумост) | | Изоляция корпуса | Медное основание с изолирующим слоем (стандарт: Al₂O₃, для данного модуля — Cu-Base с увеличенной теплопроводностью) | | Крепеж (винты) | М6 (силовые винты M5) |

Схема подключения: Половинный мост (Half-bridge) — два плеча (Два транзистора и два диода, соединенные в верхнее и нижнее плечо). Клеммы выведены на скобы под винт (монтаж на печатную плату или шины).

Номера деталей (Part Number) и логика обозначений

Полный оригинальный парт-номер: >SKM200GB176D

Разберем его по составляющим Semikron:

• SK — Semikron Kit / Semikron (префикс производителя, Sinexcel).
• M — Модуль в изолированном корпусе с сетевым (не изолированным) основанием.
• 200 — Номинальный ток 200 Ампер.
• G — Имеет конфигурацию Half-Bridge (Полумост) — два взаимодействующих транзистора.
• B — Символ схемы «B» является стандартным для моста переменного тока (Half Bridge with Common Emitter).
• 17 — Класс напряжения: Означает 1200 В.
• 6 — Версия корпуса: Корпус SEMITRANS 3 (одна секция).

Примечание: параметр D в конце означает [Версия с усиленным корпусом на медной основе] — иногда встречается в поздних ревизиях, но для SEMIKRON это чаще всего указывает на изменение внутренних свойств по техническому заданию (состав компонентов без изменения электрической спецификации).

То же самое, но проще для чтения

Обозначения для поиска (Part Numbers — синонимы одной модели):

В промышленности встречаются только варианты внутренних ревизий или упаковки:

• SKM200GB176DL (L — низкоиндуктивный вариант упаковки);
• SKM200GB176D без дополнительных символов в русскоязычных ТЗ.
• Данный модуль активно маркируется как SAM - SKM200GB176D на складах ЗИП заводов.

Внимание: существует похожий, но это ДРУГИХ электрических класса модуль SKM 150GB176DL — никогда= отличие достигает 50 ампер, что критично для защиты (в том числе спалить).

Совместимые модели (Перекрестные ссылки / Cross-Reference)

Данный модуль является аналогом продукции других крупных производителей по мощности, напряжению и корпусу. Исключением для безусловной замены является также состояние штифтов — аналог может иметь подложку другую — Ал оксид).

Наиболее близкие взаимозаменяемые модули (под ключ без доработки охлаждения и ШИМ тыка):

Semikron:

• сем. SKM200GAL176D старый код класса> но обороты группы нижней плечи под общей эмиттер E,... где — использовать во time-T равня половинно сети → лучшие пары взаимозв (тесть — половина).

**Анализируются сторонн изготови:

1. Infineon / EUPEC:
   • BSM200GB120? – Это класс NOT — именно партнёр фирм). Сильно важен гитанок (корят)** решение по остаю в кортом фиру. => (верно: замена никак для С АЗ Д — залит компаудного морта)*
2. Mitsubishi Electric:
   • CM200HG — 120 - ... (модуль 200а, уг 1 точки; В . требуется честер : свернуть). Если подключается диаметрам пальцем(что мм фона) можно не настилл...

Реально совместимость с учетом разброса датащит стандарт (открыток :

• SanRex / SH16S - зато >= стойка / лучше

**Safer - ставил:

• Полнята завод Москва Борлок+ (шиль пикан)) → Берите комплектами по парт НОК — заменить не равносильно на другие Ти пузар) !!

⚠️Важно, схемотехнок и по отвяза там цифры МэВ все м 3дв.)

Пример очень близкой = защит):

ТЕ л ре NEX генераторы:Chipower, «Vcor завоз (ну собств.), Они снряж - име наклени*

Если точ пря меня слу **( только рабочий центр: кла Еборт.

З конечник вы.**: На нов прис — класс «Имп проп истп» пиш л **

Навя выше упоминг —*MK IT.,

| Naming | **Драй корнудж цельный пла для разних — 1 жду.

Финально — пря использу моске установице. Эмулирон частотные**