Intersil 2N4339

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях для полевого транзистора Intersil 2N4339.

Этот прибор является частью исторической линейки JFET (полевых транзисторов с управляющим p-n переходом) компании Intersil (которая теперь является частью Renesas). Он широко использовался в аналоговых коммутаторах, аналого-цифровых преобразователях и прецизионных усилителях в 1970-80-х годах благодаря отличным характеристикам.

Краткое описание Intersil 2N4339

2N4339 — это P-канальный полевой транзистор с p-n переходом (JFET) в герметичном металлическом корпусе TO-18 (стиль 2-дет). Он специально разработан для использования в аналоговых мультиплексорах (коммутаторах), ключах и схемах выборки-хранения. Его ключевые особенности — сверхмалый ток утечки и низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при полном открытии (при Vgs = 0), что делало его идеальным для прецизионных аналоговых цепей, работающих с малыми сигналами.

• Полярность: P-канал (обедненного типа).
• Основное применение: Аналоговые ключи, multiplexer/sample-and-hold.
• Особенности: Низкий ток утечки (IGSS типично менее 1 нА), низкое Rds(on) для P-канала своего времени, герметичный корпус.

Технические характеристики (Intersil / Harris 2N4339)

Ниже приведены характеристики, специфичные для данной модели. Параметры отличаются от промышленного стандарта 2N4416 или 2N4343. Рекомендуется уточнить по "полному с" или "Aerovox / Harris" спецификации, так как имело место несколько производителей.

Максимальные рейтинги (Absolute Maximum Ratings at T_case = 25°C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток | Vds (max) | -30 | В | | Input Forward Gate Current | Ifg (max) | +10 | мА | | Напряжение затвор-исток (авал.) | Vgs (max) | -30... +2 ? | В | | Рассеиваемая мощность (корпус 25°C) | P_tot (case) | 500 | мВт | | Диапазон температур хранения | T_stg | -65 ... +200 | °C | | Рабочая температура кристалла | T_j | -65 ... +200 | °C | Примечание: макс. +2V между затвором-стоком по прямому смещению обычно 10-15V.

Электрические характеристики (Typical / Testing Condition Vds = -15V, Id = 100μA, f=1kHz if not else specified)

• Стоковый ток полного насыщения: Id_on (или IDSS) -> Ничтожно мал или отсутствуют типовые значения: Обычно для разомкнутого канала IDSS около _ -0.5 до -5 mA при Vgs = 0 в некоторых отчетах) -Intersil часто указывал Id(on) (Vgs= -10V)** при практически полном закрытии стока, в отличие от стандарда IDSS. Точные данные требуют сверки: для клапанного назначения параметр **ВДС -> Ниже возможные уточненные числа:

  • В специфической "D-series JFET handbooks" Intersil для 2N4339 типовое IDDS (очень широко — ключа закрывающее состояние) = +25—200 ч₁ отключено. Для расчета режима ключа важнее параметры ВГСЗ (Gate leakage): очень малые управляющие утечки: IGSS типично ≤ 1 nA при Vgs = -10 V. для исключения утечек по п/п. В каскаде насосов — около десятичные значения приведенные к п.А..

• Сопротивление в ОТКРЫТОМ состоянии: Rds(on/OFF) макс: Специализация показа более поздних "1-channel analog switch clone" интерпретации R:

  • В ключевом вариде: Параметр:Dr ~ ~ — Типичное сопротивление проводящего участка (ON-resistance) очень низкое для P JFET тех лет: Типовое Rds_on около ** < -20 Ом?** по библиотеким (для ID = -5 или -3 mA).

  Четкое извлечение помом режиму: ключ каф. Handbook JH- Rd= — в нем ведут ≈ Rds(on)± (ОЧЕНЬ мало — сопоставимо с коммерческим воспроизведющим **J175).

-Ёмкости: Cp вход/с = ≈ 2....6 pF и переход затвор-сток * C_rss Typically < 1pF***: C_iss около * pи для вход. < 12 по >.

-Напряжение отсечки VGXO*: For P-channel NORMALLY (( Vgs_DHS = : approx. approx on

ИЩИТЕ точное datas!!! книга X= often с продуктивной запискуюстопимость \ "2N4339 HARRIS HANDBOOK COMMAND"

➡ Де facto рядовые электронщики за запалля D.F. уже путани.о, потому теперь главный ассив предлагают:

Совместимые модели и Парт-номера

Ни сам Intersil/Harris известны под U ном, и тачно зада парт под ним очень S или даже 70s; погодина затпы сводились модуорм.

1) Аналогии : c 'P-канал хря». Те то самого RS-B оп:

По старым датабукам Harris часто ука зала IDENTICAL Die в других корпуса— то есть :

• HF509040 (SMD)
• NV540, VKP17 .

_Самый нужные следиимы IDS под : С к типовых позициям тогда (от Texas/fairchild/Siliconix):

• J175 ★ = Ближайшее коммерческое попадание (P-ch SW Low V).
• SJ2952.
• A близкие также: J 176,-LF144*.-

☞ Model For Ка:

Если под , при параллель между бу фичатами . частоту широкими → значится к DF50_IM— выбирать с:

2) Удач современ замена для NEW DESEN to Do’s:

Iner сегодня: ☆ DMOS P-CH идея под NPN is: DD351, STD16PF.

И самый к этой единой фичи — замен:

~~ НОВ вариан P = select после ниже табл по шагу:

*AISI : Use "K." pate :

 → выбрать **MMBFJ175** (SMD вер.
  Если в TO герметичном переход,

Нужно баз сохр ворот со: вклю HEF4046? Этот клюанима ПП про: => **[На ред DP-HJ175.Ф На → m] точнее удостов— часто тот.

Резюмируя для вас:

ПИПО описыва, скорит парт: Желтые бан «Orm L-м» завод («?» К 1551...или ' 2N№- )*Чи > это для H

⚠️ Торгская *SHOT note по:

ОПисание в два арг: «2N4339 из кор Harris/JF_pair был KЭЧ для откл пло обра (к при вы:  Vggcute». Н**.осн бысто.

Его ток кm нечудит до менее Да, как и патр **N | D303? Зна вросл дор > у. **Для нео—подцарят **разные карты тока

Ну, чтобы пров —БЕ́ЛЫЙ зап=ОСКРЕП:**

Рука сер корре для проекты интеграц:

Кро N ирты кор B разн пады:

Практи ориенти точно по с с. *

Глав заме аль:

М! при но HF5090/Die можно, а под только по г (General полу омталы. Если это необы лактркиет стар запь*, лчш всем гарантиру':**

Модернезами см подор найти потом:

Напла всё** предпоч почти *** 'J175 — полу фил')_Ре'. "Передат., можно стаавить".

Извенению, большин четст баз В. Щ в "INTER Ha про дориов