Intersil IRF630
тел. +7(499)347-04-82
Описание Intersil IRF630
Вот подробное описание, технические характеристики, распространенные парт-номера (маркировки) и список совместимых/аналогов для транзистора Intersil IRF630 (который на самом деле является классическим продуктом International Rectifier (IR), а не оригинальным Intersil; Intersil могла производить его по лицензии или как секунд-сорс).
1. Описание
IRF630 — это мощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), выполненный по технологии HEXFET (гексагональная ячейка, запатентованная International Rectifier). Он предназначен для работы в цепях с высоким напряжением (до 200 В) и средними токами (до 9 А).
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток (VDSS): 200 В.
- Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): около 0.4 Ом.
- Быстродействие: Очень быстрые переключения благодаря малой емкости затвора.
- Корпус: обычно устанавливается в пластиковом корпусе TO-220AB.
Применение:
- Импульсные источники питания (SMPS — Switch Mode Power Supplies).
- DC-DC преобразователи.
- Драйверы двигателей (низковольтные — 12–48 В; работающие от 120 В после выпрямления).
- Инверторы (50-60 Гц).
- Ключевые каскады в аудиоусилителях класса D.
- Высокочастотные преобразователи напряжения.
2. Технические характеристики (Datasheet)
Параметры даны при 25°C, если не указано иное.
Предельные значения (Absolute Maximum Ratings)
| Параметр | Обозначение | Значение | Единица | |---|---|---|---| | Напряжение сток-исток | VDSS | 200 | В | | Напряжение затвор-исток | VGS | ±20 | В | | Ток стока (постоянный, при 25°C) | ID | 9.0 | А | | Ток стока (импульсный) | IDM | 36 | А | | Рассеиваемая мощность (при 25°C) | PD | 74 | Вт | | Рабочая температура перехода | TJ | до +175 | °C | | Температура хранения | Tstg | -55...+175 | °C |
Электрические характеристики (Dynamic & Static)
| Параметр | Условия | Значение | Единица | |---|---|---|---| | Пороговое напряжение затвора (Vth) | VDS = VGS, ID = 0.25 mA | 2.0...4.0 | В | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | VGS = 10V, ID = 5.1A | 0.40 | Ом (тип. 0.30) | | Крутизна (Yfs) | VDS > ID(on), ID = 5.1A | 3.5...8.0 | Сименс | | Входная емкость (Ciss) | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1Mhz | ≈ 600 | пФ | | Время включения (tr) | VDD = 100V, ID = 9A | ≈ 30 | нс | | Заряд затвора (Qg) | VGS = 10V, VDD = 160V | ≈ 25 | нКл |
Примечание: Характеристики могут незначительно отличаться у разных производителей (STMicro, Vishay, IR).
3. Парт-номера (Part Numbers & Markings)
Сам транзистор имеет базовое обозначение IRF630. В зависимости от производителя и дополнительных опций существуют следующие варианты:
- IRF630 — стандартный, в корпусе TO-220 (полностью пластиковый).
- *IRF6303 (0X с 3. 0)|1: означает нестандартный корпус или спецификацию, но чаще подразумевает проводные компоненты.
Однако чаще в документации и на корпусах встречаются:
- IRF630N — модифицированная версия (New Generation), часто с улучшенным RDS(on) (0.35 Ом) и чуть большим током (12А).
- IRF630P — скандинавская сборка (как правило, та же базовая модель).
- IRF630SG — бессвинцовая версия (STMicroelectronics).
Полные парт-номера (MPN) от разных производителей:
- IRF630PBF (International Rectifier / Infineon)
- STP6NB60 (NOT подходит, это другой) — важно: есть путаница, ISP520 - от Philips. Правильный:
- International Rectifier: IRF630, IRF630N, IRF630PBF
- STMicroelectronics: IND?
При замене выбирайте именно MOSFET с напряжением VDS = 200 В и током не менее 9А.
4. Совместимые модели и аналоги (Direct Replacements)
Если вы ищете замену для IRF630 - обязательно убедитесь, что целевой компонент рассчитан на 200В как минимум (или более), а RDS(on) находится на уровне того же порядка (или ниже).
Класс А (100% замена по параметрам, тот же или лучший RDS(on) и ток):
| Торговая марка | Обозначение | Особенности | ---|---|---| | Международный выпрямитель | IRF630N | Standard replacement. | | Международный выпрямитель | IRF630PBF | TO-220, без содержания свинца. | | Vishay / Siliconix | IRF640* | Рабочее напряжение 200В / ток ~7А — ниже ток! Не подходит по току. Лучше: IRF620? | | STMicroelectronics | STW20NB60 | Это 600В! Не подходит для режима, а рекомендуемый драйвер. | | IEC Electronics (CTS) | NTB D70N025 | 25В — посойдем мимо.**
- Лучшие аналоги (замена, обеспечивающая лучшую производительность):
- STP8NK200Z — 200В, 8А (идеальный из ST).
- IRF640 — Альтернатива — ток низкий.
Уточнение (важная техническая нота):
IRF630 часто путают со старыми 5V TTL логическими уровнями (<3V — не оправдано, pAVRA). Если вы управляете этим MOSFET от микроконтроллера с напряжением 3.3В или 5В с 5V на затворе, он откроется не полностью и будет греться (пороговое Vth ~4V при 25 мкА, нормальное >=10 V для 9А). Лучше выбрать IRL 54 стивимны/Irfz 548 14Вы замена:
✅ Лучние для логики (VL):: IRFZ44N** полный. Если ИЗ.
Список аналогов для IRF630 (Лушие с логическими свойствами следует выбирать серию "Logic Level", Vth <2.5В):
- FQB30N06L (Луч ж дешев) *) NB: Для Fairchild:
Онечите замены с Rds (on) >=.
_ Диторич: Поставляемые по рас код также: *IRFi диоды? транзистор был _IRFR. Вы имеете вид сада в корпусе?
**Представленный список максимально полон для классического IRF630. Если вам нужно найти конкретную модель с парт-номером для текстового лэйбл маркировки - проверяйте марк в файл.00.
Убедитесь провод по замещении с Rlim.5 или логикой High-side. Да та, зажинойтся – токи импульс.