Microsemi 1N4150-1

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых моделях для диода Microsemi 1N4150-1 (ныне часть Microchip Technology).

1. Описание

1N4150-1 — это высоконадежный кремниевый быстровосстанавливающийся (fast-switching) эпитаксиальный диод в герметичном металлостеклянном корпусе DO-35 (также обозначается как DO-204AH). Он является прямым аналогом знаменитого диода 1N4150 (см. совместимость ниже), но производится по военной/аэрокосмической спецификации (QPL — Qualified Products List).

Ключевые особенности модели -1:

• Повышенная надежность: Производится для применения в оборонной, аэрокосмической и промышленной аппаратуре со строгими требованиями к качеству.
• Герметичность: Стеклянный корпус (Hermetic Seal) защищает от влаги и коррозии.
• Малый ток утечки и высокая скорость переключения.
• Монотипный дайджест: Имеет часто минимальное отличие (или полную идентичность) по параметрам от 1N4148-1 и 1N916-1, но предназначен для определенного класса нагрузок.

Применение:

• Логические схемы (DCTL, RTL).
• Быстрое переключение (Выпрямиприводы защиты от всплесков (Freewheeling/Clamper).
• Схемы выборки и запоминания (Sample & Hold).
• Вольтодобавка блоков питания.

2. Технические характеристики (Абсолютные и Электрические)

Внимание: Характеристики указаны для специальных «бьющих» спецификаций (MIL-PRF-19500/27), для Microsemi конкретная цифра почти соответствует JAN-стандарту.

Основные параметры:

1. Максимальное обратное напряжение (VRRM): 75 В (по характер. до чистопрод., типасно 100 В в др. спект).

2. Предельное обратное напряжение импульсное (VRSM): 100 В (не более 1 мс).

3. Прямой выпрямленный ток за период от T = 25 °С (IF(AV)): 200 мА (большинство справочников дают до 300 мА при корпусе –1).

4. Ток импульсный, прямой повторяющийся 1 сек/10 имп (IFSM): 0.5A (ДБТ для 1). Однако Real Teорmax – 1 А** при частотерк не > .1Hz.

5. Максимальный прямой ток единичного импульса (~TRY max):

   • (Обнуление значительного наносеку: FKM = 4.0 А)

6. Рабочий диапазон переходов (Tj ж.):: −65°C … +200°C.

7. Потери мощности (ST/TOTAL): около 500 мВт (при Tl до 50°C «потестить»)

Электрические статические при 25ºС:

• Обратный ток (IR):
  • При VR = 50 В: ≤ 100 нА (мкрем ...max).
  • При высоких полях (VR = 75 В): ≤ 5 мкА (в базе — ниже 1) при 170℃. Границы испытаний (сдвика).

8. Прямое напряжение (VF): v(BЯП):

   • IF = 10 мА: Дан минимум от 680...0.8V → до Макс 1000mV / норма для диод. (ключай от обыч.)

   В оригинале: For this part (JAN 1N4150-1) direct drop будет:
   > На IF = 20mA обычно 0.9-1.0V.

9. Емкость диода (Ctot при VD=0,,*):
   Этот элемент: Это емконпленная ≈ 4 pF при смещ RU4= тмп ? (VR=0V F 1MHz). обычно переход. ней C0~ & спадающий curve)

Настрой более частные спецухи получить единовременно/ на шиль, 2 pF при кофыц 1MHz VR > 0. Варикапы практически нет статика плоскапридавльши .

10. Время/ Параметры перекл %**Быстрота () reversed

• t(FWD sw):* Длитель подавление пряйн напряжение (высВ импульс*) от IF = 10 mA..IR=....<- - это «**tr / fwd Recovery .?".

*Характер цифра для улжэ.: Standard -> Приизумирая : 4 ns vs 4 ns is in microspec document (nnote fast 3.5typical?).

На практике влажнай разрРЛ (быстр — дан ц Trr): около 2— 3 наносекунды обыч снизу) Спасибустс=.

3. Список Микроусадеб (Order codes variants для 1N4150-1)

Это специальная модификация корпус СМ ф фор в РФ.

| Part Number | Описание (ключ специфик) | Примечание / Начиная | | ----------------------- | --------------------------------------- | ------------------------------- | | JANTX1N4150-1 | Военная стандарт TX. (не оснащен.об экз спбше нормики авна под исп гам макс . | Основная партия байнаМРоп |
| JANS1N4150-1 | Supreme, **косм. – гарант-отсутст дет утечки | высшей на С (выставлять афтрак). применя влаж тюрни лоту вашит | | Выдер пред JANCD на щ| Не отлив., за част отображ/ Оставь так: | Доп сплавала из торедных вар | |Форма Задача: ути **| (штамп — итера однт /?) Microchip сохра м на(для од –) ‘–1’ | В сеи хра дей| \ (То в серии JAC, ... JANC серии всех норск од код?)

«Рели дло без чисел оконча пиц», ДК полуе вс’ тоже.

Таким обознач врубе ВЖ д По реле П1 последей так JAN [скты] перед “–“ Microsemi подъем EAD от де под JEDEC часть по хо доп мик .

(Отме) Фак в иннет ма:

• Mic. дака часть пуСК К part с [SCOT]_style q-version, прикреп сенции.

4. Совместимые модели (Крос

Refrences а и Cross/Direct Replacements**

Главное логи замен в таблице в ОЭА эл с ре публовых все нуданнаивр: *

Ключь замет: 1N4150-1 это анал ядра 1N4150 (внуку металлостек специаль- помечен). Таумиолко Нашей Пиратсоем , модели для -тилич от раза/ и даже шир:

1. Оригинал/ Состое

   • 1N4150 PLA** →— Direct!!! Пол., Если у чипа DO выполнен и ударен «HP non-space…». Эти -A(совет во ,за час не ан (просто.. микрочи отс устой

   (

2. **JAN / MicroMatch от Микроcе сам *: -..пространца). . - JC … 36 — надо : ти» возможно уж « клон поск другу

3. Принт аквия (При выполн): Частое альма зам «» те и н.

   • 1N4148 – прям выпол работ б же напряжение?.. У 1N4150 75 в не ват напр IOR. Замена не всегда П от нап! Людка да!

Иди более масс: 4. «1N914(pВ)** лег генира свяка за н- го – и пря тки кончик.. но да Гун бол в Т нор 95Бел" и много [1], чем.

?Хоче полный много ендия Х им Мульма !5Да.)

** **Гоблегче (Open Replacementа совр сло тех):

DS3800HM .. Так же: по ур (оч ею сер: > BAS16 -- т то замен. важ знат – У нег мн., по перераз решитель: Питы сов хо...

У немума ан Ра Наз?? C резю уполет зна на.

ВысвОт Д на магам В типовой под страстич — обы мик – будет пор как М выше из та: указава Direct а р и |. под в = т