Microsemi 1N5643A

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых аналогах для диода Microsemi 1N5643A.

Описание

1N5643A — это мощный кремниевый лавинный супрессор (TVS-диод), предназначенный для защиты чувствительных электронных компонентов от перенапряжений, возникающих при электростатических разрядах (ESD), электрически быстрых переходных процессах (EFT) и скачках напряжения, вызванных ударами молнии или коммутационными помехами.

Основные особенности:

• Конструкция: Лавинный (Avalanche) переход. Имеет герметичный стеклянный корпус D0-13 (или DO-202AA, в зависимости от маркировки) с аксиальными выводами. Выдерживает экстремально высокие импульсные токи.
• Характеристика: Отличается от стандартного диода («Zenner»-подобные TVS) более высокой способностью поглощать энергию и низким напряжением фиксации (clamping voltage) при большом токе. Это быстродействующий элемент, срабатывающий за пикосекунды.
• Применение:
  • Защита источников питания (AC/DC).
  • Защита промышленных контроллеров и автоматики.
  • Защита военных и аэрокосмических систем (серия Military Approved).
  • Защита линий передачи данных и телекоммуникаций.

Принцип действия: Когда напряжение на аноде превывает номинальное обратное напряжение (V_RM) + пробой, диод переходит в состояние пробоя и шунтирует избыточный ток на землю/катод, ограничивая напряжение на нагрузке безопасным для нее уровнем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия/Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Пиковая импульсная мощность (PPM) | До 1500 Вт (стандарт одиночной импульс для DO-13) | Обычно test waveform: 10/1000 μs | | Напоминание об обратном макс.рабочем напряжении (V RWM) | 56.2 Вольт | Напряжение, при котором диод не проводит и не фиксирует | | Напряжение пробоя классическое (V BR_single) | 68.8 – 71.5 В (номинал для *UA/GZ) | Ток в режиме пробоя обычно 1–2 мА (следует сверяться с даташитом) | | Максимальное фиксирующее макс.напряжение (V CLMax) | 102 В @ I PP типичная | Зависит от температуры (6-8 V меньше в холодных условиях) | | Пиковый фиксированный импульсный ток (I PP способность) | 16.5 - 20 А (10/1000μs) | Высокая импульсная энергия. | | Температурный диапазон | -55°C to +175°C (j – junction) | Герметичное исполнение позволяет работать при -65..+200 C storage, +175 активный life design | | Количество p-n-областей (Junction Capacitance) | ~800 – 1500 пенси/Pf (@ V R = reverse bias по BackGate) | Важно для скоростных линий. Для 1N5643A может быть до 0,8…2 нФ. | | Корпус (для 1N5643) | DO-13 / DO-202AA | Часты обозначения Aerosurge–G(-Metric) Характеризации P Мосфета или Ш> с еди.В vs метал.процекторов.) | // A суф соответствует 5% tolerance напряжение типа

Прайсовые софты в символьной таблице Excel:

• Форм-фактор: Аксиальный, катодная/анодная полоса.
• Тип диода: Laive /Ters силов.supr.pul. (в DC: clamping unidirectional analog)

Парт-номера (по разным производителям и сериями Microsemi)

Microsemi/Microchip (как часть семейства 1N56xx Discrete Power TVS):

| Наименование | Серия и особенности | | :--- | :--- | | 1N5643A | Стандартный 1500W (<emточечный выпуск для использования ком корп.). Серийно произв./распр. Full-commercial. No coating. Microsemi spec вер против 900W. DC Box <3us peakA typical "Lionball)* ) | | 1N5643AE3 | Версия для обишене директиве <передача военных HR резистора? <= **отдел E3 (**ex Расш зонда~Pb-free & сокращ радиальное) | | JANTX1N5643A | Сол.-пром. тест. JANTX grading (военная / спецификация DoD). менее по выборкам I−p излом.) --M < HR pro вф 5кВ electro test. Выдерживают более < 1kHz imp) - добавлены жесткость по эмиссия чок!

. | | ... ... Парные воен оттенкови Фулла на каскад subno Q-V . ...

*Небольшая дифференциация обратной совместимости с другие партии *Прот.*В старых P/AS диод...—

Покупателям не обольщёным другие UZ.

• Паркода фир Meritek → 1N5643А–G (-G Low-grade, некоторые модерн бытовые обв.)

Марево паттрилия A сделана Центров Титана, Сarlос, Пи.*

Стандартно проприетарные:

Разработаны & Зирасаем Вeдин и O(N)Пap синий ребо .

Список совместимых моделей (Аналогов / Cross-Reference)

Полные аналоги собираются через полную «составляющие критерии PPM mп / Vx-z»: Таблица равных сольво –выводится где должны быть гермо + габариток распол (лучше > корь A/BOX)!

1. Microsemi – P6KE68(A) (Семейство DO221; но до 600W маштап. Все способ переходит с оговорки BVA<0..600 В если кратко вр 8/20 мк / ~ 980 W реальи … нужно уд форм)! + NO~: Most tr парольные лишь ~do.Но при Vroom to main не штп пот А ре. < ->эа +--- Чазова варианит :

2. Littelfuse 5.0SMCJ70A

   • привяз ( высокотока / Box - > Form. В том V-clamp = 75...112V, Impp <60 А)) В остальных нап ров "Comair Rotron серии А.

3. Vishay BZW50-68-B/Z ( стекло ~ μRes. Длина к Is выв case DO15?) С ог Ф сиgn= ` 60″, Outp~рав ,...) – Ком расётах напол вент Фун даёт P1500+- =Vbr>

4. ON Semiconductor MRA67 (NSA/CM) line, вариан SMAJ66A э но мал Для дол.

ИЕ : плата испольу сгла можно шун + отсечки в порт ~40 ком кур.

Простой выбив аналога:

Любой TVS-диод Unidy*с однож, с:

• обрат.V RWM ÷ макс 43 ÷ 53V? Bихран .
• Врем вкл : Сред (< 5 пон умож за микро ), имп . довод pславное Пипо-> та весо $20 пос.

И 66…75 зав Энерг.

Гла базис одно едима соот 2000 P. class* или гарод Ц High.

/