Eupec BSM50GD170DL
тел. +7(499)347-04-82
Описание Eupec BSM50GD170DL
Eupec BSM50GD170DL — Описание и технические характеристики
Eupec BSM50GD170DL — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для использования в силовой электронике. Модуль представляет собой двухканальный (half-bridge) переключатель, рассчитанный на высокое напряжение (до 1700 В) и средние токи (до 50 А постоянного тока при 80°C).
Основное описание
Модуль выполнен по технологии IGBT 3-го поколения от Infineon (под торговой маркой Eupec), которая отличается низкими потерями при переключении и насыщении, а также высокой устойчивостью к перегрузкам. Конструкция включает встроенный быстродействующий антипараллельный диод, оптимизированный для работы в условиях жесткой коммутации (например, в преобразователях частоты). Корпус — стандартный 62 мм (полумостовой), что обеспечивает удобный монтаж на радиатор с изоляцией основания (медное основание, изолированное керамикой).
Технические характеристики
Предельные значения:
- Напряжение коллектор-эмиттер (V_CE): 1700 В
- Постоянный ток коллектора (I_C при T_case = 80°C): 50 А
- Импульсный ток коллектора (I_CM, в течение 1 мс): 100 А
- Параметры и область безопасной работы (SOA) — обратите внимание на потери при линейном режиме.
Электрические параметры (при T_j = 25°C, если не указано иное):
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(ON)): не более 2.4 В (при токе 50 А, V_GE = 15 В)
- Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5.0–6.5 В
- Ток утечки коллектор-эмиттер при V_CE = 1700 В: ≤ 1 мА (при T_j = 125°C)
- Полный заряд затвора (Q_G): ~5.8 мкКл
- Входная емкость затвора (C_ies): ~4.5 нФ
- Время задержки включения/выключения и время спада/нарастания типичные.
Диоды:
- Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1700 В
- Постоянный прямой ток: 50 А
- Прямое падение напряжения при пике: не более 1.8 В (при 25°C)
Тепловые свойства:
- Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(jс) для IGBT): 0.265 K/Вт
- Тепловое сопротивление переход-корпус для диода: 0.65 K/Вт
Механические и монтажные данные:
- Корпус: 62MM (BSM-тип), длина 106.4 мм, высота ~30 мм.
- Монтажные отверстия: под винты M5 (монтаж к радиатору).
- Изоляция основания: 2500 В (действующее значение, 1 мин) по стандартной методике.
Парт-номера и совместимые модели
Этот модуль имеет несколько альтернативных маркировок на рынке вторичных компонентов (оригинальная маркировка может включать дополнительные суффиксы, например: BSM50GD170D без информационного номера ревизии, или BSM50GA170).
Оригинальные парт-номера:
- BSM50GD170DL (оригинал Infineon Technology, бывшая Eupec).
- BSM50GD170DN2 — новая ревизия (minor rev.), полностью функциональный аналог.
- BSM75GD120D — не является прямым аналогом по типу, но заменяем до подключения (несмотря на совместимость по контактной группе, различия в напряжении смотри в сносках).
Совместимые или альтернативные изделия от других производителей (легко заменимы при монтаже):
| Компания | Модель | Примечание |
|----------|--------------------------|-------------------------------------------------|
| Infineon/Eupec | BSM50GD170
BSM50GD170DN2 | Часто та же серия, но отличается фактическая дата выпуска.
Подходят размер и расположение выводов |
| Fuji Electric | F2-50-34EUX 17 | Практически полный аналог.
(ваш список совместимости: если параметры 84A-10м | |
| Fuji Electric | 2M+50MBXJ-170AN (редко) | |
| IXYS (Littelfuse) | MFO50-12IEDA | Тип: | 1700В / 50А, однако только по части диапазов |
| Semikron | SKM50GB127D | Полумостовой, закрывается. Данные требовсь купно |
| Микрон (MICRON) | DG50CT17 (экономил) | Вторичный рынок РФ |
Критерии полного анализа совместимости:
При подборе замены кратко, но у каждого завода несоответствия от +-1ма должны быть компенсированы нагрузкой. Золотое стари.
Замечание продавцов и западная совместимость: Если ищете замену в “доступном” западном каталоге, являющимся в практике инженеров предпочтительный эквивалент:
- IXYS MFO50-17И27
- но есть *лучше при уменьшении жестких логических условий / рассеивания — это номинация перейДиКаДаСа.
Как указать в закупочных базах:
Тип: силовой IGBT
Наименование: IBGT Module Half-Bridge
N/C: BSM50GD170DL (EU-PEC) или AB: PF
Параметр: 1700BCE + An AERICS.
Имея данный список при выборе, что делается по акцентуры силов.