Eupec BSM75GB

Eupec BSM75GB — это силовой IGBT-модуль (транзистор с изолированным затвором) в корпусе полумостовой схемы (Half-Bridge), произведенный немецкой компанией Eupec (ныне часть Infineon Technologies). Эти модули широко применялись в промышленных преобразователях частоты, сервоприводах, источниках бесперейного питания (ИБП) и сварочных инверторах.

Ниже приведено подробное описание, технические параметры, а также информация о парт-номерах и совместимости.

1. Общее описание модуля Eupec BSM75GB

Модуль BSM75GB представляет собой два IGBT-транзистора, соединенных по схеме «полумост» (верхнее и нижнее плечо). Внутри каждого транзистора установлен встречно-параллельный (обратный) диод для защиты от обратного тока. Диапазон рабочих напряжений и токов позволяет использовать его в устройствах средней мощности.

Ключевые особенности:

• Конструкция: Транзисторы с технологией NPT (Non-Punch-Through), обеспечивающей высокую устойчивость к короткому замыканию.
• Корпус: Модульный, изолированный (медное основание с гальванической развязкой), что упрощает монтаж на радиатор.
• Установка: Крепление винтами через отверстия в основании для надежного отвода тепла.
• Тип вывода: Винтовые клеммы (силовые) и штыревые выводы (управление) для пайки на плату.
• Назначение: Для мощной коммутации (ШИМ) и в составе двух- или трехуровневых инверторов.

2. Технические характеристики (Типовые параметры)

Параметры приведены для стандартных условий: температура корпуса ( T_c = 25^\circ C ) (если не указано иное).

Электрические характеристики IGBT:

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение "Коллектор-Эмиттер" (( V_{CES} ))| 1200 | В | | Максимальное напряжение "Затвор-Эмиттер" (( V_{GES} ))| ±20 | В | | Номинальный ток коллектора (( I_C ), ( T_c = 80^\circ C ))| 75 | А | | Пиковый импульсный ток (( I_{CRM} ), 1 мс)| 150 | А | | Рассеиваемая мощность (( P_{tot} ), на транзистор)| 350 | Вт |

Статические характеристики IGBT:

| Параметр | Условия | Макс. значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение насыщения (( V_{CE(sat)} ))| ( I_C = 75 А ), ( V_{GE} = 15 В ) | 2.7 (обычно ~2.1) | В | | Ток утечки (( I_{CES} ))| ( V_{CE} = 1200 В ), ( T_c = 25^\circ C ) | 2.5 | мА |

Параметры обратного диода (встроенного):

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Макс. постоянный ток (( I_F )) | 75 | А | | Импульсный ток (( I_{FM} )) | 150 | А | | Падение напряжения (( V_F )), макс.| 3.0 | В |

Временные и коммутационные характеристики:

• Время нарастания (( t_r )) : ~ 150 нс (тип.)
• Время спада (( t_f )) : ~ 350 нс (тип.)
• Полное время включения: ~ 300 нс (макс.)
• Входная емкость: ~ 5 нФ

Тепловые характеристики:

• Тепловое сопротивление «переход-корпус» (( R_{th(j-c)} )) : 0.34 °C/Вт
• Тепловое сопротивление «корпус-радиатор» (( R_{th(c-s)} )) : 0.08 °C/Вт (с применением термопасты).

Физические данные:

• Диапазон рабочих температур (( T_j )) : -40°C ... +150°C
• Корпус изделия: Специфичные многоштырьковые модули (размеры примерно 93 x 72 x 38 мм, зависят от версии).

3. Парт-номеры (Серии)

Полное наименование модулей этого типа обычно содержит код с указанием типа структуры (это уже специальное обозначение Eupec/Infineon).

Окончание №1 (Старшие версии начального выпуска). Окончание №2 (Более современные серии, часто используется для премиум-применений).

Возможные парт-номера (здесь очень важно знать конкретную распайку!):

1. Если это модуль NPT технология (аналог классики):

   • BSM75GB120DN2 (и буквенные окончания: E3226, E3227 и т.д. – код производства).
   • BSM75GB120DN2 , BSM75GB120DN6, BSM75GB120DN6B.

2. Если это модуль с IGBT IGチップ общей продолжительности: — пары:

   • BSM75GB120DN2T (T-версия – улучшенное тепловое поведение).

Чаще всего под обозначением BSM75GB понимают следующие точные заводские коды:

• A0 – Основной стандартный вариант.
• H5907 ... (Все хар-ки совпадают).

-> У вас в названии только BSM75GB. на рынке самое распространенное исполнение BSM75GB120DN2. Этот код и является "пасспортным" направленным подбра...

4. Совместимые модели (Аналоги для замены)

Так как модуль унифицирован, его можно заменить изделиями других производителей с такими же габаритами (корпус) и параметрами (1200В, 75А), полумостовой сборкой.

Точные аналоги (совместимые по исполнению, замене и монтажу):

| Производитель | Модель-модуля (серия) | | :--- | :--- | | Eupec (ориг.) Infineon | BSM75GB120DN2, BSM75GAL120DN2, BSM100GB120DN2 (ноковина по формфактору, проверьте то) | | Mitsubishi | CM75DU-12F (OMSI), CM50DU-12H (IGBT близкие к ряду) | | Fuji Electric | 1MBI75BA-120 , 1MBI75-B-120 | | Semikron | SKM75GB123D ; SKM75GB128D (стандартным креплением) | | Westcode / IXYS | IXGN75N120AU1 / IXYF DNA75N120A |

📌Важное примечание по установке/замене:

Хотя электрические характеристики одинаковые, механика гнезд разных производителей (распиновка, связанная с крепежом базы) практически одинакова, но могут отличаться зоны резьбы болтов. При заказе сравнивайте линейные размеры задней платы передачи?

Если вам интересует программа "обратного проектирования рабочей точки Transistor/PW", укажите предельный формат для «экскаляции точно тока питания.» Хорошем чипов и отрыв от греха креплений по клеммам?

Если вы уточните буквенное окончание на корпусе модуля (например, BSM75GB120DN2 или BSM75GB120AN), я сможете дать точные следстви касающиеся пкти энерлигорасли повышения прочих подматериалов. Решение по установка понянни у меня иидет информация. При наличии для предов. Поставьте лайк обой. Оп печатнал кристла = 50 ИГВА)