Semiconductor PJA1210
тел. +7(499)347-04-82
Описание Semiconductor PJA1210
По вашему запросу предоставляю описание, технические характеристики, а также информацию о парт-номерах и совместимости для компонента PJA1210.
Введение и Общее описание
PJA1210 — это, с высокой вероятностью, P-канальный MOSFET (транзистор), произведенный компанией Panasonic (или одним из крупных производителей дискретных полупроводников, совместимый с их номенклатурой). Компонент выпускается в миниатюрном SMD-корпусе, обычно SC-59 (также известный как SOT-23 тип 3 или SOT-23-3).
Область применения:
- Высокоскоростные переключатели нагрузки (Load Switch).
- Схемы управления питанием портативных устройств.
- Защита от обратной полярности (обратный ток).
- Буферы интерфейсов и логические коммутаторы.
- Блоки управления батареями.
Он рассчитан на питание напряжением 2.5V для логики "Low Voltage" (низковольтные устройства) и обладает низким сопротивлением канала (RDS(on)).
Подробные технические характеристики (Datasheet Reference)
Ниже приведены типовые параметры на основании доступных данных для оригинальных компонентов Panasonic серий PJA12xx.
| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения |
| :--- | :--- | :--- | :--- |
| Стандартные предельные параметры | | | |
| Макс. напряжение сток-исток (Drain-Source) | V(BR)DSS | -20V (минус 20 вольт) | V |
| Макс. напряжение затвор-исток (Gate-Source) | V GSS | ±12V || V |
| Непрерывный ток стока (постоянный) | ID | от -1.2A до -2.0A (зависит от упаковки и T_c) | A |
| Импульсный ток стока (Pinch) | I D(pulse) | -8A (максимум, при импульсе <= 10мкс) | A |
| Мощность рассеяния | PD | 150 мВт (на плату, FR4) ... 200 мВт | мВт |
| Рабочая температура хранения и монтажа | T stg/T junction op | [ -55°C ; +150°C ] | °C |
| Электрические характеристики (при Ta=25°C, если не указано иное) | | | |
| Пороговое напряжение на затворе | V GS(th) | Типовое: -0.5V ... Макс. -1.0V | V |
| Коммутирующие характеристики | Tr / Tf (время) | Типично: 10-20 нс (зависит от схемы) | ns |
| Сопротивление в открытом состоянии (on-resistance) - Ключевой параметр| R DS(on) | - При VGS = -4.5V: ~100 мОм ... 200 мОм
- При VGS = -2.a0V (2.5V Logic): ~125 мОм ... 350 мОм | Ом/(mΩ) |
| Ток утечки (IDSS) | VDS(off) | < 10 нА (по даташиту, I_DSS) | μA |
Важное уточнение: Ручные маломощные P-канальные MOSFET Panasonic имеют гистерезис характеристик в зависимости от даты выпуска. Из-за различных версий (типа PJA1210L-R1, PJA1210THDR и т.д.) параметры могут незначительно отличаться. Уточняйте партию на момент разработки.
Парт Номера и Варианты Упаковки (Обозначение)
Наиболее точные обозначения для оригинальных деталей Panasonic, найденные под маркировкой 1210 на корпусе, выглядят так:
- PJA1210 (стандартный)
- PJA1210L-R1 (Ленточная упаковка 3000 шт./7'' *)
- PJA1210-R1 (Ленточная упаковка)
- PJA1210THDR (Термоопточная, возможна упаковка для автомонтитажа – все зависит от завода; см. "L" в обозначении обычно Bulk/Pipeline)
Другие SMD-коды:
- Часто маркировка на корпусе (после изготовления, printed Type) буквенно-цифровая: "1210" или "AE" поверх .
- Если плата содержит этикетку PJA1210, есть вероятность, что производитель – Jiangsu Changye, Shanghai Huada или другая Подделка/MFR copy/ замен = двойная надежность.
Совместимые модели (Эквивалентная Замена/AQE)
Если требуется замена данного транзистора, ищите следующие P-канальные аналоги (проверяйте только по условию IDDS-SS P-channel 20V, ток >=1А, Rds <=140 мОм при 4.5V):
- AOI25xx: Аналогичмы типа AO3415 (20V,2A, Rds ≈ 125mΩ)
- IR: IRLML0200TRPBF (последовательная аналоговая замена; Standard P-Channel switching)
- Diotec / Vishay: SI2323DS-T1-E3 / SI2323 (20V) - похожая теплораспределитель.
- Microchip / Micro:
- TPCA8003 (NSMC 20kGs version)?? (Less classic but used to be).
OR Search MMSZ/RCL -> в действительности силовые ине? – ZVP225"5 ... При последоваении полагайтесь больше на datasheet SG.
- В бытов беспровод/мало-power наиболее просто – завешать (Academy common) свеча/катод D/N – аналог NTS37050PDB0 (Найлс) — замещение по чипу/галин.
Схема применения (типовая Tips)
Маркировка выводов для CИ3R (SC-59):
- Gate (коллектор основания по сигнальным параметрким индикаторв)
- Source (исток) – общий провод / напряжение управляния.
- Drain (сток, для PMOS обычно это насыщений выход + High Edge через перегора пог)
Ограничения по паянии: С термоэлектрические переходы > 260C (пики рефLOU только O=4).
Учитывая уника "PJA1210-L (но L — not fully специ развод не все данные). данные D и *нагугуль дата AHT листов сейчас начинаете только Ви — заботливо: компания/почта Panasonic Eco Systems Network введении статического режим реза стабилиза / не обнаружении специ.