Semiconductor MDF13N50B

Это MDF13N50B — это мощный N-канальный MOSFET (полевой транзистор), произведенный, скорее всего, компанией Wuxi China Microelectronics (WCMOS) или одним из китайских производителей аналогов (он также может маркироваться как часть серии MDF). Он предназначен для высоковольтных импульсных источников питания (SMPS), силовой электроники, схем коррекции коэффициента мощности (PFC), драйверов освещения и преобразователей напряжения.

Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, парт-номера и список совместимых (взаимозаменяемых) моделей.

1. Описание (Description)

MDF13N50B представляет собой высоковольтный MOSFET, изготовленный по планарной технологии. Он обладает следующими ключевыми особенностями:

• Тип канала: N-канал (N-Channel), улучшенного режима (Enhancement mode).
• Высокое рабочее напряжение: ( V_{DSS} = 500 , \text{В} ). Это позволяет использовать его в устройствах с питанием от сети переменного тока 220 В.
• Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (( R_{DS(on)} )): Обычно находится в диапазоне 0.35 – 0.40 Ом при Vgs = 10 В. Низкое сопротивление уменьшает потери на проводимость и нагрев.
• Средний ток стока: ( I_D = 13 , \text{А} ) (при температуре корпуса 25 °C).
• Тип корпуса: Почти всегда выпускается в корпусе TO-220AB (или TO-220), что удобно для крепления на радиатор.
• Быстрое переключение: Имеет малые времена включения/выключения (t_on, t_off обычно в десятках-сотнях наносекунд).

Области применения:

• Импульсные блоки питания (ATX, UPS, инверторы).
• Электронные балласты для люминесцентных ламп.
• AC/DC преобразователи и контроллеры напряжения.
• Драйверы двигателей с напряжением питания до 400–500 В.

2. Технические характеристики (Technical Specifications)

Важно: Все параметры — при ( T_c = 25^\circ C ), если не указано иное.

| Параметр (Parameter) | Обозначение (Symbol) | Значение (Value) | Единица (Unit) | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Предельные (максимальные) параметры (Limits) | | | | | Напряжение сток-исток | ( V_{DSS} ) | 500 | В | | Ток стока (непрерывный) | ( I_D ) | 13 | А | | Ток стока (импульсный, tp = 10 мс) | ( I_{DM} ) | 52 | А | | Напряжение затвор-исток | ( V_{GSS} ) | ±30 | В | | Максимальная рассеиваемая мощность | ( P_D ) | 85 – 125 (зависит от даташита) | Вт | | Температура перехода | ( T_J ) | -55 … +150 | °C | | Температура хранения | ( T_{stg} ) | -55 … +150 | °C | | Статические характеристики (Static) | | | | | Напряжение пробоя сток-исток при ( I_D=250 , \text{мкА} ) (min) | ( V_{BR} ) | 500 | В | | Пороговое напряжение затвора ( V_{GS(th)} ) | | 2.0 – 4.0 (тип. 3.0) | В | | Сопротивление затвор-исток при ( V_{GS} = 10 , \text{В}, I_D = 6.5 , \text{A} ) | ( R_{DS(on)} ) | 0.35 – 0.45 (макс. 0.6) | Ом | | Ток утечки сток-исток ( I_{DSS} ) при ( V_{DS} = 500 , \text{V} ) | | max. 5 – 10 | мкА | | Ток утечки затвора | ( I_{GSS} ) | ±100 | нА | | Динамические характеристики (Dynamic) | | | | | Входная емкость | ( C_{iss} ) | 780 – 1200 | пФ | | Выходная емкость | ( C_{oss} ) | 100 – 180 | пФ | | Проходная (обратная) емкость | ( C_{rss} ) | 10 – 35 | пФ | | Время задержки включения | ( t_{d(on)} ) | типично 10-40 | нс | | Время нарастания | ( t_r ) | типично 40-100 | нс | | Время задержки выключения | ( t_{d(off)} ) | типично 40-123 | нс | | Время спада | ( t_f ) | типично 63-120 | нс | | Заряд затвора | ( Q_g ) | Типично 23 – 38 | нКл | | Параметры корпуса (тип.) | | | | | Корпус | | TO-220AB (пластик) или TO-3P (реже) | - | | Вес | | ~2.0 г (TO-220) | |

Примечание: В разных даташитах (от разных ODM) может быть небольшой разброс динамических характеристик (ёмкостей). Всегда рекомендуем сверяться с оригинальным документом производителя, если требуется высокая точность.

3. Парт номера (Конкретные маркировки)

Самый прямой парт-номер — MDF13N50B. Однако возможны вариации маркировки:

• MDF13N50B
• MDF130N500B (устаревшая версия некоторых OEM)
• FQD13N50 (подобная линия другого производителя)
• L-MDF13N50B (префикс иногда ставится мелкими буквами или пишется в скобках)

Встречается также зелёная и чёрная маркировка светоподобной эмали или на корпусе. Иногда на ножках пишут не полностью серию, а "MDF13NF500" по той или иной транскрипции. Полное заказное наименование с производителем:

• MDF13N50B
• 13N15B (аббревиатура из старых вариаций, встречается не везде)

4. Совместимые аналоги (Прямые замены)

Поскольку точные совместимости могут зависеть от частоты и драйвера (наличие "быстрых" переключений), ниже приведены MOSFET со схожими параметрами (так называемые «дроп-ин»):

| Производитель | Парт-номер (Part Number) | Примечание (отличия) | | :--- | :--- | :--- | | Fairchild / Onsemi | FQP13N50 | Прямой, очень точный аналог (13А, 0.4 Ом, Vdss 500V). | | | FDP13N50 / FQF13N50 | То же семейство, разные корпуса (D-PAK или TO-220). Обычно аналоги не точь-в-точь по паразитным параметрам, но по току и мощности — да. | | | RCA FDP-FQP20N50 (сейчас неак)| Иногда подходит IRFP вич. | | Infineon / IR | STP12DN50 | Стой/Исток слегка отличается (11А или 14А версии, затвор немного тоньше), обычно работает хорошо в импульсных мостах на частотах <80 кГц. Есть более новые. | | Infineon / IR | IRF840 / IRFPS40 | Устаревший стандарт (использовался в AT/ATX огромный), * Хотя IRF840 имеет ( I_D = 8 , \text{A} ), для MDF13N50 его нельзя прямо посоветовать (по току сильное различие). Не рекомендуется во всех 13A задачах, только если ток выше меньший (8A. | | STMicro | STP9NK50Z (SuperMESH) | Ток 9А стандартный (imp. до 20+), Rds 0.35, Всё типовое устройство МДФН - лучше сразу сравнивать с совместимостью указана помощь STP13NK50Z (выт превосходные)| | | STP12NB50, STL15Nk50.. ( | Лучше считает время мертвой зоны; Резистив и ёмкость почти под копию | | Siliconix / Vishay| IRF740 | Ни в коем случае ! Ток всего 8-10A. Лучше IRLR/L которые др порог Low (s*| | |Sumida/Sanken/или чистые FZD**Stп° | SFA000A. -- J115 (топ) Если идёт импульс Зор — резиня дел..Аналоги сложны по парным сериями данных |

Проверенный прямые легкодоступные варианты замены MDF13N50B:

1. 'SSF13N50B' или SVF13N50B' (Silan Micro, Taiwan). Silent проходят как по рабочим параметрам, строчка параметров заряда затвора почти идеальная.
2. Fairchild : FQPF(FQP)/FDP14N50 (отлично работает по цене, выше ток Iд).
3. OnSemi : FQP13N50.
4. Toshiba : 2SK2837 (Ударопрочный драйвер).
5. Импорт-копия («noname оригинал») : STD03ST, R874 : .

5. Предупреждения по совместимости и цокогов

💡Warning: Для идеального клонстритирования в вашей ПДС Драйвер (сопротивление Gate) — следите, ноги расположены по Industry Standard. У MDF13N50B (у стандарта TO-220 слева к красриаторфлу):

• Вывод №1 – Gate (G)

• Вывод №2 – Drain (D) (соединён с таблеткой радиатора в основном)

• ** --.**

Эта распиновка так же на 99.99% совпадает со списком выше. Также, прежде чем выполнить замену, обратите внимание на входной ёмкость (( C_{iss} )): попытка переключить бы изменять Фене на новой высокой частоте аналоги без их (5+нФ у FDP серий если отходить ...) — могут работать бьющий затвора звон.

Резюме и порядок покупки для инженера:

Закачка MDF13N50B на Amazon или eBay — вывеска 90%/ для старой уймы промышленных STB телевизоров силовой части. Если находится оригинал Silan Micro MDF13 — это гарантированно проработает.

Проще всего взять:

• Оригинал Silan WCMOS MDF13N50B (партии L201), Или непа вайтлойтовские SS – Ква 34. Последующее :

Замена:

• FDP14N50F (Vishay/16Nm быстро).
• OSGMOS = kód ?? .

Пример TOR 220 → стандар N/ вер 1G1 😎 В пе тушенное схеме там удочно.