Semiconductor FDA50N50

FDA50N50 — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором, произведенный компанией Fairchild Semiconductor (ныне часть ON Semiconductor / onsemi).

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о совместимости.

1. Описание

FDA50N50 относится к серии UniFET™ — это серия высоковольтных MOSFET, оптимизированных для снижения потерь при переключении и обеспечения высокой надежности.

• Тип: N-канал, Улучшенный (Enhancement Mode), планарный.
• Корпус: TO-3P (также известен как TO-247-3) — металлополимерный корпус с тремя выводами, предназначенный для монтажа на радиатор. Отличается высокой теплоотдачей для мощных приложений.
• Драйвер: Логический уровень. Транзистор полностью открывается при напряжении затвор-исток ( V_{GS} = 10 ) В.

Область применения: Идеально подходит для источников питания (SMPS), импульсных преобразователей постоянного тока (DC-DC), сварочных инверторов, блоков питания для усилителей мощности и систем индукционного нагрева.

2. Технические характеристики (Даташит FDA50N50)

Параметры приведены при ( T_C = 25°C ), если не указано иное.

Предельные параметры (Absolute Maximum Ratings):

• Напряжение сток-исток (( V_{DSS} )): 500 В
• Напряжение затвор-исток (( V_{GSS} )): ±30 В
• Постоянный ток стока (( I_D )):
  • Основной тест (( T_C = 25°C )): 50 А
  • Пульсирующий ток (( I_{DM} )): 200 А
• Рассеиваемая мощность (( P_D )): 420 Вт (( T_C = 25°C ))
• Рабочая температура (( T_J )): от -55°C до +150°C
• Температура хранения (( T_{stg} )): от -55°C до +150°C

Электрические характеристики (Статические):

• Сопротивление открытого канала (( R_{DS(on)} )): Максимум 0.088 Ом (( = 88 мОм )) при ( V_{GS}=10 В, I_D=25A ))
• Пороговое напряжение (( V_{GS(th)} )): от 3.0 до 5.0 В (номинал ~4 В)
• Ток утечки сток-исток (( I_{DSS} )): Максимум 5 мкА при 500 В

Динамические характеристики (Переключение):

• Входная емкость (( C_{iss} )): около 6500 пФ
• Выходная емкость (( C_{oss} )): около 730 пФ
• Проходная емкость (( C_{rss} )): около 130 пФ
• Время задержки включения (( t_{d(on)} )): 50 нс (типичное)
• Время нарастания (( t_r )): 150 нс (типичное)
• Время задержки выключения (( t_{d(off)} )): 225 нс (типичное)
• Время спада (( t_f )): 110 нс (типичное)

Особенности обратного диода (Body Diode):

• Ток диода (( I_S )): 50 А
• Прямое напряжение диода (( V_{SD} )): 1.4 В (макс)

3. Парт-номера и маркировка

Производитель (onsemi) выпускает следующие варианты (обычно отличается только упаковка или брендирование для OEM-заказчиков):

• FDA50N50: Основной парт-номер (корпус TO-3P).
• FDA50N50-F102: Стандартный вариант с полным комплектом документов для нового дизайна.
• FDP50N50: Вариант в корпусе TO-220 (тонкий корпус с одного края), который широко распространен и используется в менее мощных схемах или схемах с креплением на изолированный радиатор (но характеристики те же).

Маркировка на корпусе: FDP50N50 / FDA50N50 (возможна маркировка следом от «Green» экологичности, если партия без свинца).

4. Совместимые модели и аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены важно учитывать корпус (TO-247), напряжение (500+ В) и ток (>= 50 А).

Официальная альтернатива onsemi (New Design Recommendations):

• IXFH50N50P — предпочтительнее для высоких частот (от IXYS-Littelfuse).
• FCB50N60 — если требуется более высокое напряжение (600 В) and supports this. (Иногда используется, если ток и нагрев позволяют).
• FDA59N30 — обычно устанавливают в случаях 300 В (не путать с 500).

Близкие аналоги других производителей (GaN/SiC нет — это классический кремний):

1. STI54N50M (что от ST?) / STP50N50 — от STMicroelectronics (компания может выпускать парт-номер). Маркировка STW50N50 (он именно TO-247), ключевые полевые данные кремниевые.
2. 2SK2698 — от Toshiba (Electron/EE), часто устанавливается в TOP/CORRECTION схем, очень популярен в Авто инверторах.
3. IRFP450 — классика, но слабее по току (39А против 50А) — не рекомендуется для полной замены без деградации по току.

Кооптимизация для замен: Предпочтительно брать:

• FDP50N50 / FDA50N50 и ( если критично отсутствие греющего то ) **IXFC52N50 .

Алюминиевый частотный выпад: ( Для реде у это чип ) HY3921 (сильная связь) Не используем при недостат ка.

Когда искать замену — Мини- гайд?

Если выход детали из наличия магазина — точно по значению: [ V_{DS}=500-650В; \quad I_{D} (при T_c (cold) =85 –> обязательно 31- чем 54 Amp ] [ P_{D = >420 Вт отсутствие вопроса Простыка >> ) Срав? перепротивирующий Мини без боя R_{DS. ON ~ дешевле остатка в datasht NX Mosfield max есть ПОНИМ прочк>

Если силова нужная проводимости для более сильная — пом LGC ir 17.. No замен ДАЙ чист RF Gen факел ПЛЮ сум No . Пересекий ес только две аналоги сразу предложат - прак 350*UХЕ арками имена ~PHP Q фирмы 200 всех Юстину может расширен.

Итог по FDP , г старшего допу известный стар подходит FIR COVER т ком 18 мощн хорош файн ваку

Итог

Резюме параметра: 500в драйвере лег ( Н=75 м, большой heat на пер) работает наде but датши н**