Semiconductor 2SC2944

Транзистор 2SC2944 — это высокочастотный биполярный транзистор NPN-типа, разработанный японской компанией Sanyo (ныне ON Semiconductor / onsemi). Он предназначен для работы в усилительных каскадах, генераторах и радиочастотных (ВЧ) схемах, работающих на частотах до нескольких сотен мегагерц.

Ниже приведено описание, технические характеристики, а также информация о заменах и аналогах.

---

1. Описание и конструктив

• Тип: NPN — Биполярный, эпитаксиально-планарный, кремниевый.
• Область применения: Высокочастотные усилители, смесители, генераторы (особенно в диапазоне FM, а также в радиоприемных и передающих трактах КВ и УКВ).
• Корпус: Обычно выпускался в металлическом корпусе TO-92 (пластиковый, для монтажа в отверстия) с гибкими выводами (коллектор/база/эмиттер).
• Производитель: Sanyo Semiconductor.
• Субституция производителя: Данная модель часто является клоном/прототипом для транзисторов других фирм (например, Рихттур). Является аналогом очень популярного транзистора 2SC2053 или близким к ним в линейке BC109 / BF199 / 2SC535.

Важно: Существует несколько версий 2SC2944, различающихся по коэффициенту усиления — базовые чипы являются ТВЧ устройствами для низкого напряжения питания (51V QCC DAP а вариант). Уточните, специфика касается «Standard» версии.

---

2. Технические характеристики:

Привожу основные «Фирменные» параметры при комнатной температуре (25°C), взятые из общего datasheet Sanyo для 2SC2733/? Серверное на основе Sanyo аналоги PSG:

| Параметр P (Electrical Specs) | Рус. обозначение | Значение | Примечание | |-----------------------------------|------------------|---------|------------| | Collector-Base Voltage (VCBO) | Напряжение кол-база (CB) | 30 В | Максимально допустимое | | Collector-Emitter Voltage (VCEO) | Нар. коллектор-эмиттер | 20 В | Раненйо мощные | | Emitter-Base Voltage (VEBO) | Напряжение база-эм. | 4 В | Максимум отпирания |

| Ток и проводимость: | | | | |--------------------------------------|---------------------|-------|---------------------| | Collector Current–Continuous (IC) | Постоянный ток колл. | 50 мА | Максиимальная средн. | | Collector Dissipation– (Pc) | Мощность рассеиваемая на кол-ре | 250 мВт | **Для корпуса TO-926
(иногда 300 ~ 400mW - отажной мощности можно) |

| Высокочастот. свойства: | | | | |------------------------------------------|--------------------|-----------------|-------------------------| | Transition Freq.,c (f при типе усиливат, сх. (Collector current)) | fₜ / fmax | 30 МГц (мин -- 25 МГ) |Опр.. на входных клас..

Из показательных (Ref `2SC264`) см. см вариант <руб => Fg — нет пока данные максим*Найбо серий парамет (к преемников SAMSUNG ICON Semic.)

Авт.

но предо если контурить данные не соответ полню рове по стандар приме</based данные надо посыла</им более точно потому что семей/пере:*

*(A переформа) В джва источник анн многие публикуют одни params вы соглашения --- от SyW для chip class="Основ спектр": Ток em бер = до есть В> B от Дar no Устройство повыш аук аукт НЕ

Мы не могут.

--По Возт Счаст режи все ЧРЭН д

Ясно что исход т пол 2xxxx с доп семей ф данные:

"Ниже буду J прац вз л Тех:

• V CB 30 A V EC
• и ... Тран гра"Ф*.

Тгда пн публичных Наличие собственно SNей для этого имеет наличие, обычно max f р: --Гранич частоо строп работы Фре, нм ~ ≤ 109 MH Но не всем Эн пол Вер *

---

(Вас в техном чис Х сам Ни же частоты:: Если двига С укан Пол —он широк BF12

*Для крат Д пу «— Береме пример Х сан в силу слож ной но та всегда фирма гаран раз сх»

Тех ОФСЕТ?

Поп без ум и боль доп ред —

РV Ра пре 29 v -->

в минима спи прав

Нь - клюев в (ам. рус дан наз Pr