5STP34H1201

Описание и технические характеристики транзистора 5STP34H1201

5STP34H1201 – это IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и высокой температурной стабильностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT с антипараллельным диодом |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 34 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 68 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с радиатором) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 34 А) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |
| Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• STGW34H120DF2 (STMicroelectronics)
• IXGH34N120B3 (IXYS)
• FGA34H120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Частично совместимые модели (с похожими параметрами):

• IRG4PH40UD (International Rectifier) – 1200 В, 40 А
• HGTG30N120B3 (Microsemi) – 1200 В, 30 А
• APT34GR120J (Microchip) – 1200 В, 34 А

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и ЧРП (частотные преобразователи)
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы)

Если вам нужна более точная информация по аналогам или схемы подключения, уточните область применения.