S6N800

S6N800 – это N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и других схемах, требующих высокого КПД и компактного исполнения.

Описание:

• Тип: N-Channel MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором).
• Корпус: TO-252 (DPAK) – популярный SMD-корпус для силовых приложений.
• Ключевые особенности: низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), высокая скорость переключения, устойчивость к перегрузкам.
• Применение:
  • Импульсные блоки питания (SMPS).
  • DC-DC преобразователи.
  • Управление двигателями (H-мосты).
  • Инверторы и драйверы LED.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение сток-исток (VDS) | 80 В |
| Ток стока (ID) | 6 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on)| ~0.08 Ом (при VGS=10 В) |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 2–4 В |
| Макс. мощность (Ptot)| 40 Вт |
| Темп. диапазон | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• STMicroelectronics: STP6N80
• Infineon: IPP6N80N
• ON Semiconductor: NDP6020P (неполный аналог, проверять параметры)
• Vishay: IRFBC40 (схожие характеристики, но другой корпус)

Совместимые модели (по параметрам):

• S6N70 (70 В, 6 А) – для менее нагруженных схем.
• IRFZ44N (55 В, 49 А) – более мощный, но требует проверки по VDS.
• FQP6N80 (аналог от Fairchild/ON Semi).

Примечания:

1. При замене на аналог учитывайте: VDS, ID, RDS(on) и корпус.
2. Для высокочастотных схем важна емкость затвора (Ciss, Coss).
3. Рекомендуется проверять даташит конкретного производителя перед использованием.

Если вам нужны уточнения по конкретному бренду или схеме замены, укажите это!