Toshiba TPC8016-H — Описание, характеристики и совместимость

📋 Описание

Toshiba TPC8016-H — это высоковольтный N-канальный MOSFET (полевой транзистор), выполненный по технологии U-MOS III компании Toshiba Semiconductor. Транзистор предназначен для коммутации высоких напряжений и токов в импульсных источниках питания, инверторах, схемах управления двигателями и других силовых приложениях.

Буква «H» в названии указывает на высоковольтную версию (High-voltage) с напряжением сток-исток 600 В. Характеризуется низким сопротивлением открытого канала R_DS(on) и высокой скоростью переключения.

⚙️ Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип прибора | N-канальный MOSFET | | Полярность | N-Channel | | Напряжение сток–исток, V_DSS | 600 В | | Ток стока (DC), I_D | 8 А (при T_C = 25 °C) | | Импульсный ток, I_D(pulse) | до 32 А | | Сопротивление открытого канала, R_DS(on) | ≈ 0,95 Ом (max) при V_GS = 10 В | | Пороговое напряжение, V_GS(th) | 2,0…4,0 В | | Макс. напряжение затвор–исток, V_GSS | ±20 В | | Ёмкость затвора, C_iss | ~ 750 пФ | | Ёмкость сток–исток, C_oss | ~ 110 пФ | | Ёмкость затвор–сток (проходная), C_rss | ~ 15 пФ | | Общий заряд затвора, Q_g | ~ 22 нКл | | Рассеиваемая мощность, P_D | 125 Вт (при T_C = 25 °C) | | Рабочая температура кристалла | –55…+150 °C | | Тип корпуса | TO-262 (I²Pak) / TO-220 | | Технология | U-MOS III | | Макс. напряжение пробоя сток–исток | 600 В min при I_D = 250 мкА |

🔧 Обозначения и парт-номера

| Обозначение | Описание | |---|---| | TPC8016-H | Базовое фирменное обозначение | | TPC8016-H-M6 / Q | Вариант в корпусе TO-262 (обычно исполнение для промышленного применения) | | TPC8016-H (TO-220) | Универсальное исполнение | | GT PC8016 | Аналог у некоторых поставщиков (неоригинал) | | SOK/S–обозначения | Складские/логистические коды у дистрибьюторов |

Примечание: современные оригинальные MOSFET этой серии от Toshiba (ныне Toshiba Electronic Devices & Storage) чаще имеют артикулы вида TK-серии*. OEM-аналоги: STP60NF06, IRF840, 2SK2814 — проверяйте параметры перед заменой.

✅ Совместимые модели и аналоги

Прямые аналоги по параметрам (600 В, ~8 А, N-канальный MOSFET):

| Производитель | Модель | Примечания | |---|---|---| | IR (Infineon) | IRF840, IRFBC40 | 500–600 В, 8 А, TO-220 | | STMicroelectronics | STP6NK60Z, STP8NC60 | — | | Vishay | IRF840, IRFBG30 | популярные замены | | Fairchild / ON Semi | FQPF8N60C | RDS(on) ≈ 1,2 Ом | | Toshiba | 2SK2814, 2SK2545 | предыдущие аналоги | | Infineon | SPP08N60S5 | CoolMOS, менее потерь | | NXP | PSMN009-100V | не точный, проверять Vds |

Сфера применения (с какими блоками/схемами совместим):

• Импульсные блоки питания (SMPS) и AC/DC преобразователи
• Балласты для люминесцентных ламп
• Управление электродвигателями и ШИМ-инверторы
• PFC-цепочки (Power Factor Correction)
• Схемы сварочных аппаратов малой мощности
• Транзисторные ключи Flyback / Forward топологий

⚠️ Рекомендации при замене

1. Проверяйте V_DSS и I_D — аналог должен быть ≥ оригиналу.
2. R_DS(on) не должен быть больше значений оригинала без пересчёта тепла.
3. Q_g и C_iss влияют на драйвер затвора — при значительной разнице применяйте демпфирующие резисторы.
4. Корпус должен соответствовать посадочному месту (TO-220 ≠ TO-262).
5. При замене 600 В на 500 В — допускается только если рабочее напряжение схемы не превышает 400 В.

Если вам нужно, могу найти актуальные оригинальные парт-номера и pdf-datasheet от Toshiba, либо подобрать пинавый эквивалентный транзистор именно под вашу схему — напишите, для какой задачи (БП, инвертор, блок LED и т.д.).