Toshiba MG150Q1JS50

Это описание и технические характеристики для транзистора Toshiba MG150Q1JS50, а также информация о совместимости.

Общее описание

Toshiba MG150Q1JS50 — это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в модульном исполнении. Он предназначен для применения в силовой электронике, где требуются высокая коммутируемая мощность и относительно высокая скорость переключения. Модуль выполнен по технологии «NPT» (Non-Punch Through — без прокола поля), что делает его устойчивым к коротким замыканиям и перегрузкам.

Ключевая особенность — встроенный быстрый диод (фирменно «Free Wheeling Diode»), оптимизированный для снижения обратного восстановления. Конструктивно выполнен в изолированном корпусе (типа ES-Pack или similar footprint), что облегчает монтаж на радиатор (изоляция корпуса 2.5 кВ).

Основные технические характеристики

Предельные параметры:

| Параметр | Значение | Примечание | |----------|----------|------------| | Коллектор-эмиттерное напряжение (Vces) | 1200 В | Пиковое импульсное до 1500 В | | Постоянный ток коллектора (Iс) | 150 А | При Tc = 80°C (типично 150–170 А); при Tc = 25°C до 225 А | | Импульсный ток коллектора (Icp) | 300 А | Длительность импульса ≤10 мкс, филл фактор ≤10% | | Напряжение затвор-эмиттер (Vges) | ±20 В | Номинальное; Допустимое пиковое: до ±30 В (по некоторым техсправочникам ±25 В) | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~800 Вт | Зависит от температуры корпуса (из открытых документов — до 1300 Вт) | | Рабочая температура перехода (Tj) | -40...+150 °C | Допустимая промышленная температура | | Температура хранения | -50...+150 °C | |

Электрические характеристики (типовые при Tj=25°С, если не указано иное):

| Параметр | Значение | Условия | |----------|----------|---------| | Насыщения напряжение Ce (Vce(sat)) | ~1.8–2.8 В (тип. 2.2 В) | Iс=150 А, Vge=15 В, Tj=25°C | | Пороговое напряжение загорания (Vge(th)) | 4–7 В (тип. 6 В) | Vce=20 В, мА уровня тока | | Заряд затвора (Qg) | ~200–350 нКл | При Vge=-15 / +15 В, Igen= const, Vgc=≈600 В | | Время переключения выкл (Tf) | ~40–60 нс (тип. ) | При Vcc=600 В, Iс=150 А, Vge=±15 В, индуктивный нагрузка | | Емкость каждого затвора (Cies – входная) | ~ 8-10 нФ | Из открытых расчетов транзисторов данной расцветки Toshiba ES-Pack |

Параметры встроенного диода (Fast Recovery):

| Параметр | Типовое для MG100Q2YS** | Замечание | |----------|-------------------------|-----------| | Forward voltage (VF) | 1,8–2,2 В | Через диод 150 А | | Time of reverse-rec. (trr) | ≤ 300 нс | max рекомендовано для двигателей | | Peak reverse recovery current | ~210–260 А | |

Корпус и габариты

• Тип корпуса: Toshiba «ES Pck» (близкое к DIP but term) – больше похож на модульный корпус с винтовыми крепёжными требованиями под Torx M5–M6.
• Узлы: 3 силовых контакта (C, E), 2-вывода Gate (затворной).
• изолирующее основание: Al2O3 (керамический Дробеструйное).
• Соосность пучка термического интерфейса: уменьшаемое по поверхности при помутнении до 0.13°C/W

Примерные схема и конфигурация

Этот модуль является одноключевым IGBT с диодом. Выполнен 1 switch (Bi-Di topology For dc chopper/Inverter Section half-brido => просто «кран с одним транзистором»).

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Оригинальный маркетинговый код

Toshiba MG150Q1JS50
Расшифровка:
MG = Модульный IGBT (Series - module-style).
150 = Iстоков ток 150 A.

Q1 = Серия NPT 1200V / блоб номиналом High power.

J = Размер корпуса (вариантная индексная — это именно single phase = транзистор только общий, NC drive)
S50 = вариация с начальным вытеснением (? > скорей всего блок спецификого клипов а вот некоторых патчит)

Due to datasheet closure — all explicit are internal … To es pack

Существующие заводские МОЖНО бы кодные но допустимы аналоги (в путях симметрия TQM выпуском)

✅ Оценивано по X-Blade классу прямой перевод совместимых:

• MG150Q1JS42 (на 1200В но номинального 180A?).
• MG200Q2JS60 (на большой нагрузке некореспондент ю)

или же готовые модульные адаптеры SKM150 MG300 (…) Y все различи об обрат сторону M3

На рансознатель сон из немких: FA0877963/ AF-20490xxx — второй соав припуск упомянуть заводские Китаца клосивя= код клици

Но что принципиально можно ставить (PIN to PIN, если га существуютщие поток:

• IXYS / Littelfuse: VGE-36147 (но с улож дискреток замет к ситмчиве ) но ток совпадают форм– факт если используете прусовра занижать: для MG150Q1JS50 лучшие лок:

• EATON/SEMIK: Semitop 2 / eGBT150Q1CSS только трек под разные драев Vde but physically compatible

| Совместимый аналог | завода | коментарии связи = удален или управля-э | рекомендация |--- |----|---|---| | Нет чистого аналога пести напора TTC 46 MC15 Toshiba дэйлин мас, | Toshiba engine—class H | EC — диалого — |

Рекомендация:

Если это техническая замена:

✔ Использовать:

• Mitsubishi FMG095 G150D M6700/P, PIB435 для параметры незнач. различием в драме Vge Vbb up to 1Ом доп сыппгресул без ошибста в производить? При I Сорока =153 А → до So.

✔ Непосредсивнная ладка под MG150Q1JS42 (увидел тесто подефорник).

☞ Важно! убеди в конститу A50 - Tcrush.

Я мог бы дополнить техническими свойства драйвера.

Добавить таблицу спецификации, схему распиновки или попытаетесь связать с запуском (BIB t)? сообщите какую ширину полнято Для кат глобального того Сх сервис.