Toshiba MG100Q2YS50
тел. +7(499)347-04-82
Описание Toshiba MG100Q2YS50
Toshiba MG100Q2YS50 — это мощный высоковольтный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для тяжелых условий промышленной эксплуатации. Он относится к серии MG100Q2YS и представляет собой классический модуль в корпусе-таблетке с плоским основанием для двустороннего охлаждения.
📋 Основное описание
Модуль спроектирован для применения в силовой электронике, где требуется высокая надежность и устойчивость к перегрузкам. Внутри корпуса находятся два IGBT-транзистора, соединенных по схеме «полумост» (half-bridge), с встречно-параллельными быстродействующими диодами.
Ключевые особенности:
- Высокое рабочее напряжение: 1200 В (подходит для сетей 380-480 В переменного тока).
- Схема полумоста: Один модуль содержит верхнее и нижнее плечо, что упрощает сборку инверторов.
- Низкие потери проводимости: Технология NPT (Non-Punch-Through) обеспечивает устойчивость к короткому замыканию (до 10 мкс).
- Конструкция: Корпус с возможностью двустороннего охлаждения, что критично для мощных преобразователей частоты.
- Миканитовая изоляция: Основание изолировано от кристаллов (изоляция корпуса).
⚙️ Технические характеристики (ориентировочные, из даташита)
Ниже приведены стандартные параметры, так как Toshiba перестала массово поставлять эту серию, поэтому данные основаны на финальной ревизии.
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип ключа | IGBT + Диод | Полумост (Chopper) | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 В | Предельное постоянное | | Напряжение затвор-эмиттер (VGES) | ±20 В | Допустимое импульсное | | Постоянный ток коллектора (Ic) | 100 А | При Tc = 80°C (корпус) | | Импульсный ток (Icp) | 200 А | Длительность ≤ 1 мс | | Рассеиваемая мощность (Pt) | 650 Вт | Максимальная на один транзистор | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 1.7 - 2.1 В | Типичное при In = 100 А, Vge = 15 В | | Время переключения (вкл/выкл) | ~0.5 мкс / ~0.8 мкс | Зависит от резистора затвора Rg | | Ток диода (If) | 100 А | Средний прямой ток | | Корпус | планарный модуль | Размер под ключ | | Температура перехода (Tj) | -40 ... +150°C | Максимальная рабочая |
🔩 Перечень парт-номеров (Варианты исполнения)
Важно: Точная маркировка на корпусе может иметь дополнительные суффиксы, означающие допуски или заводскую упаковку.
- Основной парт-номер:
MG100Q2YS50 - Модификация (для ЕС/США):
MG100Q2YS50A(часто встречается на экспортных поставках, немного отличаются пороги затвора) - (Редкость)
MG100Q2YS51— ранняя партия (могла иметь другие временные хар-ки).
— Совместимые и заменяющие модели (российские и импортные): — Точных 100% аналогов c одинаковой цоколевкой мало, но существуют идентичные по электрике:
| Производитель | Схожая/Заменяющая модель | Статус замены | | :--- | :--- | :--- | | Mitsubishi | CM100DY-24NF | Прямой аналог (полумост, 1200В, 100А, похожий корпус) | | Infineon Sinano | FZ100R12KS4 | Прямой аналог (если совпадают клеммы и крепеж) | | Fuji | 2MBI100NC-120 | Рабочая замена (Полумост 120А/1200В) | | Хороший WIN | YFW100GB125 | Замена (требует проверки крепежных отверстий) |
⚠️ Критические предостережения по замене
Это старый модуль (серия 1990-х). Перед покупкой аналога:
- Сравните раскладку силовых винтов и винтов управления на корпусе. У MG100Q2YS50 они могут отличаться от некоторых моделей Mitsubishi (часто клеммы расположены в один ряд).
- Проверьте метод монтажа: у "таблетки" верхний потенциал (коллектор) находится внутри корпуса, а нижний (эмиттер) — на основанию? Нет, у этого модуля основание изолировано. Для охлаждения требуется прижимной контакт сверху и стандартный теплоотвод через изолированную подложку.
Где используется: в сварочных инверторах, преобразователях частоты мощностью до 30-50 кВт, системах накачки лифтов и тяжелых станков (CNC).