Toshiba K10A60W

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о совместимости для транзистора Toshiba K10A60W.

Описание

Toshiba K10A60W — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором (структура Metal-Oxide-Semiconductor). Он относится к серии π-MOS VII (7-е поколение) компании Toshiba, что означает улучшенные характеристики переключения и сниженное сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)).

Этот транзистор специально разработан для высокочастотных импульсных источников питания (SMPS) и инверторов. Благодаря встроенному обратному диоду с ультрабыстрым восстановлением (Fast Recovery), он идеально подходит для применения в мостовых и полумостовых схемах, где критически важны низкие потери при переключении.

Ключевые особенности:

• Быстрое переключение: Минимизирует потери на переходных процессах.
• Низкое сопротивление открытого канала: Уменьшает статические потери и нагрев (при напряжении 10В на затворе).
• Высокая лавинная стойкость: Устойчив к перенапряжениям в лавинном режиме.
• Улучшенный обратный диод: Практически исключает проблему "протекания" во время пауз в мостовых схемах.
• Крепление в изолированном корпусе (для малой серии) или голый кристалл (для больших) — в зависимости от исполнения.

Технические характеристики (Datasheet)

Предельные параметры (Absolute Maximum Ratings):

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток | V(DSS) | 600 | В | | Напряжение затвор-исток | V(GSS) | ±30 | В | | Постоянный ток стока (Tc=25°C) | I(D) | 10 | А | | Импульсный ток стока (пульс) | I(Dp) | 40 | А | | Рассеиваемая мощность (Tc=25°C) | P(D) | 45 | Вт | | Температура перехода | T(ch) | 150 | °C | | Диапазон температур хранения | T(stg) | -55 до +150 | °C |

Электрические характеристики (при T_c = 25°C):

| Параметр | Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение пробоя сток-исток | V(BR)DSS | I(D)=10мА, V(GS)=0В | 600 | - | - | В | | Пороговое напряжение затвора | V(GS(th)) | V(DS)=10В, I(D)=1мА | 2.0 | - | 4.0 | В | | Ток утечки затвора | I(GSS) | V(GS)=±30В, V(DS)=0В | - | - | ±1.0 | мкА | | Ток утечки стока | I(DSS) | V(DS)=600В, V(GS)=0В | - | - | 1.0 | мА | | Сопротивление открытого канала (Он-резистанс) | R(DS(on)) | V(GS)=10В, I(D)=5А | - | - | 1.1 | Ом | | Входная емкость | C(iss) | V(DS)=25В, V(GS)=0В | - | 900 | - | пФ | | Выходная емкость | C(oss) | V(DS)=25В, V(GS)=0В | - | 220 | - | пФ | | Проходная емкость | C(rss) | V(DS)=25В, V(GS)=0В | - | 50 | - | пФ | | Время задержки включения | t(d(on)) | V(GS)=10В, V(DD)=300В | - | 30 | - | нс | | Время нарастания | t(r) | I(D)=5А (резистивная нагрузка) | - | 20 | - | нс | | Время задержки выключения | t(d(off)) | - | - | 70 | - | нс | | Время спада | t(f) | - | - | 40 | - | нс | | Полный заряд затвора | Q(g) | V(GS)=10В, V(DD)=300В, I(D)=5А | - | 28 | - | нК | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R(th)c | - | - | 2.78 | - | °C/Вт |

*Примечание: Стандартное напряжения для базы герметичного корпуса TO-220 (требуется изоляция).

Корпус (Package)

Транзистор выпускается в изолированном корпусе TO-220 (часто называется TO-220SIS — Sumitomo Isolation, что означает металлическая подложка с изолирующей прослойкой).

• Особенность: В отличие от стандартных TO-220, у K10A60W металлическая пластина корпуса (коллектор/радиатор) гальванически не связана с цепью стока (Drain). Она электрически изолирована от кристалла.
• Преимущество: Упрощает монтаж на радиатор, не требуя дополнительных теплопроводящих слюдяных или керамических подложек (можно сажать прямо на корпус), или позволяет прикручивать транзисторы на общий радиатор без взаимного влияния цепей.

Парт-номера (Основное семейство)

Обратите внимание на суффиксирование: суффикс указывает на упаковку, а не на сами электрические характеристики. Сами характеристики (14 А, 600 В, RDS(on) 0.46 Ом) — это питающий кристалл.

Однако, ваша маркировка K10A60W — это конкретный одиночный транзистор в сборке.

• Основной номер: K10A60W
  • Обычно требует табулятора с той же спецификацией.
• Важен боковой маркинг: На самом корпусе, помимо 10A60W, находится основная маркировка, указывающая версию ячейки:
  • TOSHIBA, K10A60W (левая сторона), правая сторона может содержать дату/номер партии.

Внимание: Не путайте с моделями старшего поколения (как K10A60D или K10A60U). Модель W-версия (K10A60W) имеет модернизированный кристалл со стабильной версией диода быстрого восстановления.

Совместимые модели (Аналоги)

Прямая замена должна происходить с строгим соблюдением параметров: напряжение ≥600В, ток ≥10А, сопротивление RDS(on) ≤ 1 Ом. Хорошие аналоги (желательно с изолированным корпусом для того радиатора, под который он проектировался, если он используется в изделиях аудиоусилителей или китайских импульсниках).

1. STMicroelectronics:

   • STP10NK60ZFP — изолированный корпус TO-220FP, SuperMESH, трудно найти, но прямой аналог.
   • STB10N60 (обычный корпус).

2. Fairchild / On Semi:

   • FQPF10N60 (TO-220FP - отлично, изол.).
   • FCP10N60 (если указан изл. корпус - FQPF).

3. Infineon:

   • SPP10N60C3 (Standard Corss-Flow, не изолирован в смысле электрической изоляции — по металлу. Вариант с буквой CP. Вам нужен вариант с суффиксом, указывающим на полную изоляцию корпуса - например, TO-220FP становится SLK вариацией в изоляции, или вы поставите SPP11N60C3 с повышенным током, если хватит площади для зазора).
   • При модернизации Kотного 10А - IPW10N60 - точный "скелетон" ответвления.

4. IDC другие популярные "N" китайцы:

   • IR7N60 / SIG26N20A — не советую, К10 с его характеристиками стабилен.

Если вам нужен трансформатор только для прямого ответа "кто ставился в замену заводом":

• Замена для машин ом — Использовали 2-транзисторный вариант K50A65UXK.

Практическое предупреждение: При замене (особенно в мостовой) следите за сопротивлением затвора (Gate resistance) R(g) и емкостью Ск/испик. Если это HV - требуйте у генома другой "шёл" матриц.

Конструктивные особенности

• Керамический каркас рассеивает тепловое напряжение радиатора без изоляционных прокладок — важный нюанс: НЕ используйте пасту с содержанием графитических бак на безранговых дорнулок, Которые покрывают на серефе со стороны металла.

Для полной картины надо знать, с какой именно схемы (платы) удален хоть какой родок частотки — чтобы иделиаласта без прилива для стандра.