Toshiba 2SK2967 — N-Channel Power MOSFET

Описание

2SK2967 — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором) производства компании Toshiba Semiconductor. Транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания, схемах коммутации и усилителях мощности. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения. Выпускается в корпусе TO-220 (изолированный вариант — TO-220IS).

Тип транзистора: N-channel enhancement mode (обогащённый, индуцированный канал).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DS) | 500 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Максимальный ток стока (I_D) — непрерывный | 5 А | | Максимальный импульсный ток стока (I_D pulse) | 20 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ≤ 1.5 Ом (при V_GS = 10 В, I_D = 3 А) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2.0 – 4.0 В | | Крутизна (g_fs) | ≈ 3.5 См (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 65 Вт (при T_C = 25 °C) | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC) | ≈ 1.92 °C/Вт | | Входная ёмкость (C_iss) | ≈ 700 пФ | | Выходная ёмкость (C_oss) | ≈ 150 пФ | | Проходная ёмкость (C_rss) | ≈ 30 пФ | | Время включения (t_on) | ≈ 20 нс | | Время выключения (t_off) | ≈ 60 нс | | Корпус | TO-220 / TO-220IS |

Парт-номера (Part Numbers)

| Парт-номер | Примечание | |---|---| | 2SK2967 | Базовый номер | | 2SK2967(Q) | Стандартная упаковка (bulk) | | 2SK2967(F) | Вариант в корпусе TO-220IS | | 2SK2967(F,Q) | Комбинация изоляции и упаковки | | 2SK2967(F,T) | Вариант с маркировкой / лентой | | 2SK2967(2) | Упаковка в тубах |

Примечание: точные суффиксы зависят от партии и рынка (Toshiba присваивает суффиксы для разных вариантов корпуса, изоляции, упаковки и RoHS-исполнения). При заказе рекомендуется сверяться с актуальным datasheet.

Совместимые / аналогичные модели

Прямые аналоги (Toshiba):

• 2SK2967 — базовый
• 2SK2645, 2SK2648 (близкие по параметрам)
• 2SK3541, 2SK3568

Аналоги других производителей (с близкими параметрами 500 В / 5 А N-MOSFET):

| Модель | Производитель | Примечание | |---|---|---| | IRFBC40 | Vishay / IR | 600 В, 6.2 А, R_ds ≈ 1.2 Ом | | IRF840 | Vishay / IR | 500 В, 8 А, R_ds ≈ 0.85 Ом | | STP6NK50Z | STMicroelectronics | 500 В, 5.4 А | | FQP5N50 | ON Semi / Fairchild | 500 В, 5 А | | FQPF5N50 | ON Semi | 500 В, 5 А, изолированный | | 2N60 / 2N65 | разные | 600/650 В серия | | SSS5N50 | разные | 500 В, 5 А |

⚠️ При замене обязательно проверяйте: напряжение V_DS, ток I_D, R_DS(on), ёмкости, тип корпуса и цоколёвку.

Типовое применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Инверторы и преобразователи DC-DC
• Схемы коммутации нагрузки (реле-замена)
• Драйверы ламп и светодиодных матриц
• Балласты

Цоколёвка (TO-220)

Вид спереди (маркировка к себе):
    ┌───────────────┐
    │  2SK2967      │
    │   TOSHIBA     │
    └──┬────┬────┬──┘
       │    │    │
      1     2     3
      G    D    S
    Затвор Сток Исток

(1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source)

📄 Для точных значений и графиков (safe operating area, температурные зависимости) рекомендую свериться с оригинальным Toshiba 2SK2967 datasheet. Характеристики выше приведены по усреднённым справочным данным и могут незначительно отличаться в зависимости от ревизии.