IGBT 02NAC12T4V1

Описание IGBT модуля 02NAC12T4V1

02NAC12T4V1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в силовых электронных системах. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах возобновляемой энергии.

Этот модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, обеспечивающими двунаправленное переключение. Корпус обеспечивает хорошую теплоотдачу и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|--------------|
| Тип модуля | Двойной IGBT с диодами (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 25 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (макс.) | 50 А (импульсный) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~200 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +150°C |
| Корпус | Изолированный (подходит для радиатора) |
| Схема включения | Half-Bridge (2 в 1) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• 02NAC12T4V1 (оригинал)
• STGW40NC120V1 (аналог от STMicroelectronics)
• IRG4BC30FD (аналог от Infineon)
• FGA25N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semi)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• 02NAC12T4V2 (версия с улучшенными характеристиками)
• 02NAC12T4V3 (аналог с более высокой токовой нагрузкой)
• SKM200GB12T4 (от Semikron, для более мощных систем)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных панелей
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!