IGBT 0-MP6750

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 0-MP6750
Описание IGBT 0-MP6750
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 0-MP6750 — это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Этот модуль сочетает в себе преимущества MOSFET (высокую скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------------|------------------------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В / 1200 В (в зависимости от модификации) | | Номинальный ток коллектора (IC) | 50–100 А (зависит от модели) | | Ток коллектора (импульсный) | до 150–200 А | | Напряжение управления (VGE) | ±20 В (стандартное ±15 В) | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 1,8–2,5 В | | Мощность рассеяния (Ptot) | 200–300 Вт | | Температура перехода (Tj) | -40…+150 °C | | Корпус | TO-247, TO-264 или модульный | | Тип управления | N-канальный, с изолированным затвором |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и кросс-номера:
- Infineon: IKW75N60T, IKW40N120H3
- Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50
- Mitsubishi: CM75DY-24H
- STMicroelectronics: STGW75HF60WD
- IXYS: IXGH75N60B3
Совместимые модули (в зависимости от применения):
- Полупроводниковые сборки: IRG4PH50UD, FGA25N120ANTD
- Инверторные модули: SKM75GB12T4, FF100R12RT4
Если вам нужны точные данные по конкретному производителю или замене, уточните модель (например, 0-MP6750 может быть частью серии Mitsubishi или Infineon).
Нужна дополнительная информация? Уточните сферу применения или производителя!