IGBT 10NEB060T17

Описание IGBT 10NEB060T17

IGBT 10NEB060T17 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокую скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости). Модуль оптимизирован для работы в инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других силовых электронных системах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 10 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 6 А
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 100 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 10 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 1,25 °C/Вт

Параметры диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 10 А

Температурный режим:

• Рабочая температура (T_j): от -55°C до +150°C
• Температура хранения: от -55°C до +150°C

Корпус:

• Тип корпуса: TO-263 (D²Pak)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. IRG4PH40UD (International Rectifier)
2. FGH40N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
3. STGW40H60DF (STMicroelectronics)
4. IXGH40N60C2D1 (IXYS)
5. APT40GF60J (Microsemi)

Похожие модели от других производителей:

• Infineon: IKW40N60T
• Mitsubishi: CM600DY-24A
• Toshiba: GT40QR21

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Драйверы двигателей
• Сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.