IGBT 1DI300ZN120

Описание IGBT-модуля 1DI300ZN120

1DI300ZN120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции
• Сварочное оборудование

Модуль обладает высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и эффективным теплоотводом благодаря технологии TrenchStop™.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (полумост или одиночный) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток (I_C при 25°C) | 300 А | | Импульсный ток (I_CM) | до 600 А | | Мощность (P_tot) | ~1500–2000 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.7–2.2 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | нс/мкс диапазон (уточнять в даташите) | | Температура работы | -40°C до +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием (обычно 62 мм) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• 1DI300N120 (близкий аналог с другими характеристиками)
• FF300R12KT3 (альтернатива с похожими параметрами)
• FZ300R12KE3

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi: CM300DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI300N-120
• SEMIKRON: SKM300GB12T4

Примечания

• Для точных данных по потерям, временам переключения и схемам подключения рекомендуется изучить даташит Infineon (например, поиск по 1DI300ZN120 datasheet).
• При замене модуля учитывайте распиновку и характеристики охлаждения.

Если требуется уточнение по конкретному параметру или применению, укажите детали!