IGBT 1DI30A055

Описание IGBT 1DI30A055

IGBT 1DI30A055 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений. Он используется в инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 550 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-контактный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW30N60T
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N60
• Mitsubishi: CM30DY-12A

Близкие по характеристикам:

• IR (Infineon): IRG4PC50UD
• Toshiba: GT30J101
• Fuji Electric: 2MBI30N-060

Примечания по замене

При выборе аналога следует учитывать:

• Напряжение V_CES (не ниже 550 В)
• Ток I_C (желательно ≥30 А)
• Параметры V_CE(sat) и скорость переключения

Если требуется точная замена, рекомендуется свериться с даташитом оригинальной модели.