IGBT 1DI500A030

Описание IGBT модуля 1DI500A030

1DI500A030 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, преобразователях частоты, источниках питания и системах управления электроприводами.

Модуль содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами (топология Half-Bridge), что позволяет использовать его в импульсных схемах с высоким КПД.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------| | Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 500 А | | Импульсный ток коллектора (I_CM) | 1000 А | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 1800 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,7 В (при 500 А) | | Время включения (t_on) | 120 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температурный диапазон | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF500R06KE3
• Mitsubishi: CM500DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI500N-060
• SEMIKRON: SKM500GB066D

Совместимые модели (схожие параметры):

• 1DI400A030 (400A, 600V)
• 1DI600A030 (600A, 600V)
• 1DI500A060 (500A, 1200V)

Области применения

• Частотные преобразователи
• Тяговые приводы
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet производителя и рабочие параметры системы.