IGBT 1MBI100U4F-120L-50

Описание IGBT модуля 1MBI100U4F-120L-50

Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric также использует схожую маркировку)
Тип: IGBT-модуль с обратным диодом (NPT-IGBT)
Назначение: Преобразование энергии в силовой электронике, частотных приводах, инверторах, сварочном оборудовании и др.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 200 А | | Мощность (P_tot) | ~300 Вт (с учетом охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 50 А) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~100 нс / ~500 нс | | Температура перехода (T_j) | от -40°C до +150°C | | Корпус | 2 в 1 (полумост) | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Fuji Electric / Mitsubishi:

• 1MBI100U4F-120L-50 (оригинал)
• 1MBI100U4-120 (упрощенная версия)
• 1MBI100U4-120L (с низкими потерями)
• CM100DY-24H (Mitsubishi, аналог)

Совместимые замены от других брендов:

• Infineon: FF100R12KT3
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: MIXA100PF1200
• STMicroelectronics: STGW100H120DF

Примечание: При замене на аналог проверяйте характеристики и распиновку!

Особенности:

• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратных токов.
• Низкие потери при переключении.
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!