IGBT 1MBI600VF-120-50

Описание IGBT модуля 1MBI600VF-120-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (встроенный обратный диод)
Назначение: Используется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 600 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 1200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Встроенный диод | Да (FWD) |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 2000 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C |
| Тип корпуса | Стандартный модуль (изолированный) |
| Монтаж | Винтовое соединение |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги Mitsubishi Electric:

• 1MBI600VX-120-50 (близкий по характеристикам)
• 1MBI600VB-120-50 (версия с другим корпусом)
• CM600DY-24A (аналог от Mitsubishi с похожими параметрами)

Аналоги других производителей:

• Infineon: FF600R12ME4
• Fuji Electric: 2MBI600VXB-120-50
• Semikron: SKM600GB128D

Примечания:

• Модуль требует использования теплоотвода и правильного монтажа.
• Перед заменой на аналог рекомендуется сверять распиновку и параметры в даташите.

Если нужны дополнительные данные (например, параметры встроенного диода или графики зависимостей), уточните запрос.