IGBT 20NAB063IT10

Описание IGBT 20NAB063IT10

IGBT 20NAB063IT10 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Модуль сочетает в себе низкие потери проводимости и переключения, что делает его подходящим для применения в промышленных и силовых электронных системах.

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны аналоги от Infineon, Fuji, Semikron).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 40 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 100 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 20 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• Mitsubishi Electric: 20NAB060T10, 20NAB120T10
• Infineon: IKW20N60T
• Fuji Electric: 20MB60A

Совместимые модели (по характеристикам):

• STMicroelectronics: STGW20NC60V
• ON Semiconductor: FGH20N60

Применение

• Инверторы для двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и параметры схемы.

Нужны дополнительные данные? Готов уточнить!