IGBT 23/12R

Описание IGBT 23/12R

IGBT 23/12R – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный обратный диод (Flyback Diode) для защиты от перенапряжений
• Корпус с хорошей теплопередачей (TO-247, TO-3P или аналогичный)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 23 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | до 50 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (тип.) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150–200 Вт (зависит от охлаждения) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50–100 нс |
| Корпус | TO-247, TO-3P или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (зависит от производителя):

• Infineon: IKW25N120T2, IKW30N120T2
• Fairchild/ON Semiconductor: FGA25N120ANTD, FGH40N120SMD
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD, STGW40NC120KD
• Mitsubishi: CM300DY-24A (для модулей)

Совместимые модели в схемах (с проверкой параметров):

• IRGP30B120KD (International Rectifier)
• NGTB25N120LWG (ON Semiconductor)
• IXGH25N120B3 (IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров V_CES, I_C и тепловых характеристик.

Если у вас есть дополнительные параметры (например, корпус или производитель), уточните – помогу найти более точную замену.