IGBT 28ANB16V2

Описание IGBT 28ANB16V2

IGBT 28ANB16V2 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль оптимизирован для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями и импульсных источниках питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В | | Ток коллектора (I_C) | 28 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 56 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 28 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C | | Тип корпуса | TO-247 или аналогичный |

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi/Littelfuse)

Похожие по характеристикам:

• IXGH28N160 (IXYS)
• STGW30NC16V (STMicroelectronics)
• APT28GR120J (Microchip/APT)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или параметры динамического режима), уточните запрос.