IGBT 2DI100Z100E

Описание IGBT модуля 2DI100Z100E

2DI100Z100E – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль выполнен в стандартном корпусе и содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами, обеспечивающими эффективное управление высокими токами и напряжениями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 60 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 330 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,38 К/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги Infineon:

• 2DI100Z100E (основная версия)
• 2DI100Z100E3 (обновленная версия с улучшенными характеристиками)

Аналоги других производителей:

• FZ1000R100E3 (Mitsubishi)
• CM100DY-24NF (Powerex)
• SKM100GB128D (Semikron)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• 2DI75Z100E (75 А, 1000 В)
• 2DI150Z100E (150 А, 1000 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более детальная информация по замене или применению, уточните условия эксплуатации.