IGBT 2MBI100120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI100120
Описание IGBT модуля 2MBI100120
2MBI100120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в мощных инверторах, преобразователях частоты, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль имеет двухканальную (dual) структуру, что позволяет использовать его в полумостовых (half-bridge) схемах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------------|-------------| | Производитель | Mitsubishi Electric | | Тип модуля | IGBT (NPT) + диод | | Конфигурация | 2 в 1 (Dual) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (IC) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICP) | 200 А | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 390 Вт | | Температура перехода (Tj) | -40°C ~ +150°C | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (ton) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 350 нс (тип.) | | Встроенный диод | Да (FRD) | | Крепление | Винтовое (ISO) | | Корпус | 2MBI (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Альтернативные парт-номера Mitsubishi:
- 2MBI100U4A-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
- 2MBI100U4B-120 (модификация с другим корпусом)
Совместимые аналоги от других производителей:
- Infineon: FF200R12KT4
- Fuji Electric: 2MBI100-120
- SEMIKRON: SKM100GB12T4
- ON Semiconductor: NXH100B120L4Q0
Применение
- Частотные преобразователи
- Инверторы для электроприводов
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочное оборудование
- Солнечные инверторы
Модуль 2MBI100120 отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным решением в промышленной электронике. Для замены рекомендуется использовать аналоги с аналогичными электрическими параметрами и схемой подключения.
Если вам нужна более точная информация по заменам или схемам подключения, уточните область применения.