IGBT 2MBI100N060-10

Артикул: 295015
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI100N060-10
Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI100N060-10
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, в зависимости от фактического производителя)
Тип: IGBT-модуль (двухключевой, Half-Bridge)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.
Основные технические характеристики
Электрические параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
- Номинальный ток коллектора (IC): 100 А (при 25°C)
- Импульсный ток (ICP): 200 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1,8 В (тип.)
- Открывающее напряжение драйвера (VGE): ±20 В
- Мощность рассеивания (Ptot): 300 Вт (при 25°C)
Диодные характеристики (встроенный обратный диод):
- Максимальное обратное напряжение (VRRM): 600 В
- Прямой ток (IF): 100 А
- Прямое падение напряжения (VF): 1,5 В (тип.)
Тепловые параметры:
- Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт
Механические характеристики:
- Корпус: модульный, изолированный
- Монтаж: винтовое соединение
- Вес: ~100 г (зависит от исполнения)
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Mitsubishi:
- 2MBI100N-060
- CM100DY-24H (аналогичный по параметрам)
- Infineon:
- FF100R06KE3
- Fuji Electric:
- 2MBI100U4B-060
- SEMIKRON:
- SKM100GB063D
Совместимые модели (по характеристикам):
- 600V / 100A IGBT модули:
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGA100N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
Применение
- Частотные преобразователи
- Промышленные инверторы
- Сварочные аппараты
- Системы управления электродвигателями
Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.