IGBT 2MBI150-120-03

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI150-120-03

Общее описание

Модуль 2MBI150-120-03 – это IGBT-модуль (изолированный биполярный транзистор с затвором) производства Fuji Electric, предназначенный для использования в мощных электронных преобразователях, частотных приводах, инверторах и других силовых приложениях.

Модуль выполнен в стандартном корпусе 2MBI и содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его подходящим для управления трехфазными мостами.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: Двухключевой (Dual IGBT)
• Корпус: 2MBI
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 150 А
• Максимальный импульсный ток (I_CP): 300 А
• Мощность потерь (P_tot): 480 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C ... +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,18 °C/Вт

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 0,3 мкс
• Время выключения (t_off): 1,2 мкс

Параметры диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1,8 В (тип.)
• Время восстановления (t_rr): 0,25 мкс

Управление:

• Напряжение затвора (V_GE): ±20 В
• Рекомендуемое напряжение затвора: +15 В / -10 В

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• Fuji Electric: 2MBI150U4B-120
• Аналоги других производителей:
  • Infineon: FF150R12KE3
  • Mitsubishi: CM150DY-12H
  • SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• 2MBI200U4B-120 (200 А, 1200 В)
• 2MBI100U4B-120 (100 А, 1200 В)
• 2MBI150U4A-120 (аналог с улучшенными параметрами)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для солнечных электростанций

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!