IGBT 2MBI150U120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI150U120-50
Описание IGBT модуля 2MBI150U120-50
Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric, Infineon или другой в зависимости от версии)
Тип: Двухключевой IGBT-модуль (Half-Bridge)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах промышленной автоматизации.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Макс. напряжение (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 150 А |
| Ток импульсный (ICP) | 300 А |
| Мощность (Ptot) | До 600 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при 75°C) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | нс (уточняется в даташите) |
| Корпус | Стандартный модуль с изолированным основанием |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C (Tj) |
| Вес | ~100–150 г (зависит от производителя) |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные аналоги:
- Fuji Electric: 2MBI150U120-50
- Mitsubishi Electric: CM150DU-12NFH
- Infineon: FF150R12RT4
Совместимые модели (проверять распиновку!):
- SEMIKRON: SKM150GB12T4
- Powerex: CM150DU-12NF
- Hitachi: 6MBI150U120-50
Примечания
- Перед заменой убедитесь в совпадении:
- Распиновки (pin-to-pin).
- Напряжения и тока.
- Типа корпуса и креплений.
- Рекомендуется использовать оригинальный модуль или аналог с улучшенными параметрами (например, с меньшими потерями).
Для точных данных сверяйтесь с даташитом производителя (Fuji Electric или аналога).