IGBT 2MBI150UH330H

Описание IGBT модуля 2MBI150UH330H

2MBI150UH330H — это двухканальный IGBT-модуль (DUAL) с номинальным током 150 А и напряжением 3300 В, разработанный для мощных преобразовательных устройств, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Тяговые приводы (электровозы, метро)
• Системы плавного пуска
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен по технологии NPT IGBT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам. Встроенные свободные диоды (FRD) способствуют эффективному подавлению перенапряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 3300 В | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 150 А | | Ток коллектора (I_C) импульсный | 300 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В (при 150 А) | | Встроенный диод (FRD) | Да (Fast Recovery Diode) | | Макс. рабочая частота | до 20 кГц | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Корпус | Модуль (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (Mitsubishi Electric):

• 2MBI150U4H-330 (аналогичный модуль, 3300 В, 150 А)
• 2MBI150U4H-330-50 (с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF300R33T3E3 (300 А, 3300 В)
• Fuji Electric: 2MBI150U4H-330
• SEMIKRON: SKiiP 330GB176-330 (176 А, 3300 В)

Замены с похожими параметрами (но требуют проверки схемы):

• CM150DU-34H (Powerex, 150 А, 1700 В – для более низкого напряжения)
• BSM150GB330DLC (ABB, 150 А, 3300 В)

Примечания по замене

1. Напряжение и ток должны соответствовать оригиналу.
2. Геометрия корпуса (монтажные отверстия, расположение выводов).
3. Встроенные диоды – если в схеме используются внешние, можно брать модуль без FRD.

Если нужна полная спецификация (например, графики V_CE(sat) или динамические параметры), уточните – предоставлю детали.