IGBT 2MBI200F-120

Описание IGBT-модуля 2MBI200F-120

2MBI200F-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) компании Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и высокомощных применений. Он широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления двигателями и промышленных источниках питания.

Модуль имеет компактную конструкцию с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор. Встроенные диоды обратного хода (FRD) обеспечивают защиту от перенапряжений.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Производитель: Fuji Electric
• Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (2-in-1)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CP): 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 800 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.0 В (тип.)
• Время включения (t_on): 0.3 мкс
• Время выключения (t_off): 1.2 мкс

Параметры встроенного диода (FRD):

• Прямое падение напряжения (V_F): 1.8 В (тип.)
• Время восстановления (t_rr): 0.3 мкс

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели Fuji Electric:

• 2MBI200U4H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI200U4B-120 (альтернативная версия)
• 2MBI200F-060 (600 В, 200 А)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi Electric: CM200DY-24S
• Semikron: SKM200GB128D
• Powerex (Mitsubishi): CM200DU-24NF

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Промышленные источники питания
• Системы рекуперации энергии

Модуль 2MBI200F-120 отличается высокой надежностью и подходит для устройств с жесткими условиями эксплуатации.

Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть 2MBI200U4H-120 (с улучшенными динамическими характеристиками).