IGBT 2MBI200HJ120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI200HJ120-50
Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI200HJ-120-50
Производитель: Mitsubishi Electric
Серия: 2MBI
Тип: IGBT модуль (2-уровневый, двухканальный)
Назначение: Управление мощными электродвигателями, инверторы, частотные преобразователи, системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы), промышленные приводы.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Макс. коллектор-эмиттер напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 200 А | | Макс. импульсный ток (ICP) | 400 А | | Мощность рассеивания (PC) | 500 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (ton) | 85 нс | | Время выключения (toff) | 350 нс | | Макс. рабочая температура (Tj) | 150°C | | Тип корпуса | 2-in-1 модуль (два IGBT с антипараллельными диодами) | | Тип терминала | Винтовые зажимы | | Схема подключения | Полумост (Half-Bridge) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Mitsubishi Electric:
- 2MBI200U4H-120-50 (аналог с улучшенными характеристиками)
- 2MBI200U4H-120 (схожие параметры, другая серия)
- 2MBI200U4H-120-50 (альтернатива с другим корпусом)
Совместимые аналоги от других производителей:
- Infineon: FF200R12KE3 (1200V, 200A, Half-Bridge)
- SEMIKRON: SKM200GB12T4 (1200V, 200A)
- Fuji Electric: 2MBI200U4H-120
- ON Semiconductor: NXV200B120T3
Особенности и применение
- Высокая перегрузочная способность.
- Встроенные антипараллельные диоды для рекуперации энергии.
- Подходит для частотных преобразователей мощностью до 75–110 кВт.
- Используется в промышленных приводах, сварочных инверторах, системах плавного пуска.
Если вам нужна дополнительная информация (датшиты, схемы подключения), уточните запрос!