IGBT 2MBI200U4H12050

Описание IGBT-модуля 2MBI200U4H12050

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль с N-канальными транзисторами и встроенным диодом
Применение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 200 А | | Ток коллектора (импульсный, I_CP) | 400 А | | Ток затвора (I_G) | ±40 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_tot) | 750 Вт | | Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 200 А) | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов) | | Корпус | 2-in-1 (два IGBT + два диода в одном модуле) | | Температура хранения/эксплуатации | -40°C ... +150°C | | Вес | ~130 г |

Совместимые модели и аналоги

Парт-номера Mitsubishi Electric

• CM200DY-24A (аналог с близкими параметрами)
• 2MBI200U4H-120-50 (альтернативное обозначение)

Аналоги от других производителей

• Infineon: FF200R12KE3 (200A, 1200V)
• Fuji Electric: 2MBI200U4H-120
• Semikron: SKM200GB12T4

Особенности

• Встроенный быстрый диод для снижения потерь при коммутации.
• Низкие динамические потери.
• Высокая надежность благодаря керамической изоляции.

Если вам нужна замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров (особенно V_CES, I_C и схему подключения).

Нужна дополнительная информация?