IGBT 2MBI200VG-120-51

Описание IGBT-модуля 2MBI200VG-120-51

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если уточните)
Тип: Двухканальный IGBT-модуль с диодом обратного хода (второй ключ может быть диодным или транзисторным, зависит от конструкции)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А | | Ток импульсный (I_CP) | до 400 А (зависит от условий) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 100 А) | | Время включения (t_on) | ~100 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Корпус | Стандартный 2-in-1 (IGBT + диод) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C (с учетом heatsink) | | Изоляция | Гальваническая (минимум 2500 В) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI200U2A-120 (аналог с близкими параметрами)
• 2MBI200U4A-120 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)

Совместимые модели других брендов:

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200VA-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Cross-reference по функционалу:

• IXYS: MIXA200PF1200
• Hitachi: MBM200DS12

Примечания

1. Перед заменой проверяйте распиновку и параметры, особенно V_CE и ток.
2. Для точного аналога лучше использовать оригинальный парт-номер 2MBI200VG-120-51 или уточнять у производителя.
3. В высокочастотных схемах критично время переключения (t_on/t_off).

Если нужно уточнить данные по конкретному производителю или применению — сообщите!