IGBT 2MBI450VE120-50

Описание IGBT-модуля 2MBI450VE120-50

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (Dual IGBT + Diode)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 450 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 300 А
• Импульсный ток коллектора (I_CP): 900 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 1600 Вт
• Класс изоляции: 2500 В (мин.)

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (тип.)
• Время включения (t_on): 0,35 мкс
• Время выключения (t_off): 1,5 мкс

Параметры диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В (тип.)
• Время обратного восстановления (t_rr): 0,25 мкс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием (Insulated Package)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi Electric:

  • 2MBI450U4H-120-50 (аналог с улучшенными характеристиками)
  • CM450DY-24S (близкий по параметрам)
  • 2MBI450U4H-120-50 (альтернативная версия)

• Infineon (бывш. Eupec):

  • FF450R12ME4
  • FF450R12KE3

• Fuji Electric:

  • 2MBI450U4H-120

Совместимые модули (по характеристикам):

• SEMIKRON: SKM450GB12T4
• Hitachi: H series аналоги
• IXYS: модули с V_CES 1200 В и I_C ≥ 400 А

Примечания:

• Модуль 2MBI450VE120-50 использует технологию NPT (Non-Punch Through) IGBT.
• Подходит для замены в инверторах и ЧПУ Mitsubishi серии FR-F700, A800.
• Для корректной замены необходимо учитывать распиновку и условия охлаждения.

Если требуется уточнение по конкретному применению, рекомендуется свериться с даташитом производителя.