IGBT 2MBI75120-03

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI75120-03

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль с диодом обратного хода (FWD)
Конфигурация: Два IGBT в полумостовой схеме (Half-Bridge)
Назначение: Используется в преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CP) | 150 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0,25 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0,8 мкс |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 2-in-1, изолированный (с керамической подложкой) |
| Вес | ~70 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Mitsubishi:

• 2MBI75N-120 (более новая версия)
• 2MBI75U4H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF75R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI75L-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Замены в других корпусах (требуется проверка распиновки и охлаждения):

• IXYS: IXGH75N120B3
• STMicroelectronics: STGW75HF120W

Особенности и применение

• Высокая стойкость к перегрузкам и коротким замыканиям.
• Низкие потери при переключении.
• Встроенные температурные датчики (NTC) для защиты от перегрева.
• Подходит для инверторов мощностью до 15–30 кВт (в зависимости от схемы).

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и характеристики, так как параметры могут различаться у разных производителей.