IGBT 2MBI75N120

Описание IGBT модуля 2MBI75N120

2MBI75N120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В).
• Большой номинальный ток (I_C = 75 А).
• Встроенный свободно-колеблющий диод (FRD).
• Низкие потери проводимости и переключения.
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 75 А |
| Пиковый ток коллектора (I_CP) | 150 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | ~2,0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1200 В |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 °C/Вт |
| Корпус | 2 in 1 (два IGBT + два диода) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги Mitsubishi:

• 2MBI75N120-50 (обновленная версия)
• 2MBI75N120E (европейский вариант)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF75R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB75N120FL3WG

При замене рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как могут быть отличия в расположении выводов и параметрах переключения.

Применение

• Преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Инверторы для возобновляемой энергетики
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль 2MBI75N120 обеспечивает высокую надежность и эффективность в мощных преобразовательных устройствах. Для правильного монтажа необходимо учитывать рекомендации производителя по охлаждению и управлению затвором.