IGBT 2MBI75U4A-120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI75U4A-120

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT модуль (двухключевой, NPT-IGBT + диод)
Назначение: Силовые преобразователи, инверторы, ЧРП (частотные преобразователи), сварочное оборудование, промышленные приводы.

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при T_c = 25°C)
• Импульсный ток (I_CP): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Класс изоляции: 2500 В (UL, IEC)
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,28 °C/Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Встроенный диод: Да (FWD, антипараллельный)
• Корпус: 2-in-1 (два IGBT + два диода), модульный

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Mitsubishi Electric:

• 2MBI75U4A-120-50 (вариант исполнения)
• 2MBI75U4A-120-50E (европейский вариант)
• 2MBI75U4A-120-50G (с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF75R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• Hitachi: MBN75U4A-120

Применение:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы для электроприводов
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Модуль отличается высокой надежностью и эффективностью, подходит для замены в ремонтных работах.

Если нужны дополнительные данные (схемы подключения, даташит), уточните!