IGBT 50-NGD8201NT4

Описание IGBT 50-NGD8201NT4

50-NGD8201NT4 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Промышленные приводы
• Системы управления электродвигателями

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая стойкость к перегрузкам и коротким замыканиям
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод для обратного тока

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 80 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 160 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 80 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Характеристики встроенного диода:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В |
| Прямой ток (I_F) | 80 А |
| Время восстановления (t_rr) | 120 нс |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная или частичная замена):

• Infineon: IKW75N120T2, IKW40N120H3
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• Mitsubishi Electric: CM600HA-24A
• Semikron: SKM400GB12T4

Похожие модели (с отличиями в параметрах):

• 50-NGD8200NT4 (аналог с меньшим током)
• 50-NGD8202NT4 (модификация с улучшенным t_rr)
• IXGH80N120B3D1 (International Rectifier)

Применяемость

Подходит для замены в схемах, где требуются высоковольтные IGBT с током 80–100 А и напряжением 1200 В. Перед заменой рекомендуется проверять соответствие характеристик в конкретной схеме.

Если вам нужны дополнительные аналоги или параметры для конкретного применения — уточните условия использования.