IGBT 553GB128DS

Описание IGBT 553GB128DS

IGBT 553GB128DS – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и промышленных систем управления. Он сочетает высокую скорость переключения с низкими потерями проводимости, что делает его подходящим для применения в:

• Промышленных приводах
• Сварочных инверторах
• Системах плавного пуска электродвигателей
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 75 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температурный диапазон | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH75N120B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW75HF120S (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• 553GB128D (вариант без встроенного диода)
• 553GB128DS-ND (версия для монтажа на радиатор)

Примечания

• Перед заменой рекомендуется проверять разводку выводов (pinout).
• Для оптимальной работы требуется правильное управление затвором (рекомендуется драйвер с напряжением 15 В).

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам применения, уточните запрос.