IGBT 5RJH60F5DPQ

Описание и технические характеристики IGBT 5RJH60F5DPQ

Общее описание:

IGBT 5RJH60F5DPQ – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Производитель | Infineon Technologies | | Семейство | IGBT 5-го поколения (TRENCHSTOP™) | | Тип корпуса | TO-247 (3-контактный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 60 А (при 25°C) / 30 А (при 100°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 120 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 333 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,55 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 18 нс | | Время выключения (t_off) | 60 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +175°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 °C/Вт |

Ключевые особенности:

• Высокая стойкость к коротким замыканиям (SCWT)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Быстрая коммутация благодаря технологии TRENCHSTOP™ 5
• Встроенный антипараллельный диод (Fast Recovery Diode)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• 5RJH60F5 (базовая версия)
• 5RJH60F5DP (аналог с другим корпусом)
• IKW60N60T (близкий по параметрам)

Совместимые модели от других производителей:

• STGW60H65DFB (STMicroelectronics)
• FGA60N65SMD (ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно параметров V_CES, I_C и теплового режима.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!