IGBT 6DI100A050

Описание IGBT модуля 6DI100A050

6DI100A050 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в силовых электронных схемах. Модуль выполнен в стандартном корпусе и используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других мощных преобразовательных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | 6DI (стандартный модуль) |

Совместимые и альтернативные модели

Парт-номера Infineon:

• 6DI100A050-1 (аналог с улучшенными параметрами)
• 6DI100A050-2 (модификация с низким V_CE(sat))
• 6DI100A050-3 (версия с оптимизированным охлаждением)

Аналоги других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI100N-050
• Mitsubishi Electric: CM100DY-24A
• SEMIKRON: SKM100GB063D
• IXYS (Littelfuse): IXGH100N50A

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если вам нужны дополнительные данные (например, схемы подключения или аналоги от других брендов), уточните запрос.