IGBT 6MBI50UA120

Описание IGBT модуля 6MBI50UA-120

6MBI50UA-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и силовых применений. Модуль содержит встроенный диод обратного восстановления (FRD), что делает его пригодным для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (пиковый) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 0.3 мкс / 1.2 мкс |
| Температура эксплуатации | -40°C … +125°C |
| Корпус | 6MBI (изолированный, 2-уровневый) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Схема подключения | Полумост (2 IGBT + 2 диода) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 6MBI50U4-120
• 6MBI50U4-120-50
• 6MBI50U4-120-50-00

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF50R12KT3
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Модуль 6MBI50UA-120 отличается высокой надежностью и эффективностью в силовых электронных схемах, где требуется высокое напряжение и средний ток.