IGBT 6MBI50UA120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBI50UA120
Описание IGBT модуля 6MBI50UA-120
6MBI50UA-120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и силовых применений. Модуль содержит встроенный диод обратного восстановления (FRD), что делает его пригодным для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и промышленных приводов.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) | 50 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (IC) | 100 А (пиковый) |
| Мощность рассеивания (PD) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 0.3 мкс / 1.2 мкс |
| Температура эксплуатации | -40°C … +125°C |
| Корпус | 6MBI (изолированный, 2-уровневый) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Схема подключения | Полумост (2 IGBT + 2 диода) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Fuji Electric:
- 6MBI50U4-120
- 6MBI50U4-120-50
- 6MBI50U4-120-50-00
Совместимые модели других производителей:
- Infineon: FF50R12KT3
- Mitsubishi Electric: CM50DY-12H
- SEMIKRON: SKM50GB12T4
Применение
- Частотные преобразователи
- Инверторы для электродвигателей
- Сварочные аппараты
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные системы управления
Модуль 6MBI50UA-120 отличается высокой надежностью и эффективностью в силовых электронных схемах, где требуется высокое напряжение и средний ток.