IGBT 6MBP75RF-120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBP75RF-120-50
Описание IGBT модуля 6MBP75RF-120-50
Производитель: Fuji Electric (или другой, в зависимости от точного бренда)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением
Назначение: Преобразование энергии в импульсных источниках питания, частотных преобразователях, промышленных приводах, системах управления электродвигателями.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (IC) | 75 А |
| Пиковый ток (ICM) | 150 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 0.3 мкс |
| Время выключения (toff) | 0.8 мкс |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 6MBP (стандартный модуль с изолированным основанием) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
Совместимые модели и парт-номера
Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя.
Прямые аналоги:
- Fuji Electric: 6MBP75RA120 (возможна другая маркировка)
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Infineon: FF75R12RT4
- SEMIKRON: SKM75GB12T4
Совместимые альтернативы (с проверкой распиновки!):
- IR (Infineon): IRG7PH35UD
- Toshiba: MG75Q2YS40
Примечания
- Перед заменой убедитесь в совпадении характеристик и распиновки.
- Рекомендуется использовать оригинальные модули Fuji Electric для критичных применений.
- Для точного соответствия проверяйте datasheet производителя.
Если у вас есть дополнительные вопросы или нужна помощь в подборе аналога — уточните сферу применения!